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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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汽車(chē)EL燈的性能需要提升 以滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求
電致發(fā)光背光燈(EL燈)薄,柔韌且堅(jiān)固,使其成為車(chē)輛儀表板夜間背光的理想選擇。 EL燈自20世紀(jì)60年代初推出以來(lái)已被廣泛使用,但缺乏芯片功能限制了它們...
在能量采集、辦公自動(dòng)化和備份系統(tǒng)等一系列新產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,超級(jí)電容器(supercapacitor)引起了設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的關(guān)注。這些超級(jí)電容器電池具有高效存儲(chǔ)能力...
一個(gè)雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器,用作1 Hz振蕩器
此外,Q 3 在此期間消除250V電源的操作。此功能非常重要,因?yàn)殡娐繁仨殞㈤W光燈管的陽(yáng)極電流降至較低水平,使電子管復(fù)位并等待下一個(gè)周期。
2019-08-13 標(biāo)簽:MOSFETPCB打樣華強(qiáng)PCB 3651 0
功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省雙MOSFET的空間
您的功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省雙MOSFET的空間,因?yàn)槟?jīng)常成對(duì)使用這些功能。飛兆半導(dǎo)體(圖片)的P溝道FDZ2552P和類(lèi)似的N溝道FDZ2551N MO...
2019-08-12 標(biāo)簽:MOSFETPCB打樣華強(qiáng)PCB 3272 0
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線,一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線,另一是在Si襯底上制作平面...
增強(qiáng)型和耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的詳細(xì)資料和計(jì)算方式說(shuō)明
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增...
2019-07-06 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3.0萬(wàn) 0
常見(jiàn)的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過(guò),因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之...
2019-07-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 4957 0
如何消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞?
在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,通過(guò)預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過(guò)調(diào)整...
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計(jì)關(guān)鍵因素
因?yàn)樽罱ぷ髦斜容^多的涉及到IGBT,所以今天我們來(lái)聊一聊IGBT的設(shè)計(jì)的相關(guān)要點(diǎn),當(dāng)然只是從我們比較關(guān)心的幾點(diǎn)出發(fā),概括性地來(lái)說(shuō)一說(shuō)。而沒(méi)有深入到物理...
MOSFET理解與應(yīng)用 如何提高放大器的Robust
哪些因素會(huì)影響MOSFET放大器的Robust增加一個(gè)電阻,提高Robust增加一個(gè)電容。
MOS管閾值電壓與溝長(zhǎng)和溝寬的關(guān)系
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響,實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜,但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析,這里主要還是分析當(dāng)晶...
MOSFET開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間定義
電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才...
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100mS,甚至更高。
2019-06-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng) 5.4萬(wàn) 0
在LLC拓?fù)渲校x擇體二極管恢復(fù)快的MOSFET的原因是什么
在當(dāng)前全球能源危機(jī)的形式下,提高電子設(shè)備的能效,取得高性能同時(shí)降低能耗,成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點(diǎn)。為順應(yīng)這一趨勢(shì),世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)...
電流驅(qū)動(dòng)電流檢測(cè)電路詳解,如何使用分流電壓作為輸入電壓,
運(yùn)放必須是軌對(duì)軌輸入,或有一個(gè)包括正供電軌的共模電壓范圍。零漂移運(yùn)算放大器可實(shí)現(xiàn)最小偏移量。但請(qǐng)記住,即使使用零漂移軌對(duì)軌運(yùn)放,在較高的共模范圍內(nèi)運(yùn)行通...
2019-05-09 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電壓 8940 0
前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的自舉電容
一個(gè)電源正端的一個(gè)電源,那么我們說(shuō)這里應(yīng)該用P管,對(duì)吧?那么如果呢這個(gè)管子放在D端,它的下面直接通D的話,那么這個(gè)時(shí)候我們說(shuō)應(yīng)該用N管。那么這樣子的話,...
2019-04-17 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 7882 0
詳細(xì)分析MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)特性的講解
MOSFET從完全關(guān)斷到完全導(dǎo)通經(jīng)過(guò)哪幾個(gè)階段,在此過(guò)程中MOSFET為什么會(huì)發(fā)熱。
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