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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求及應(yīng)用
如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性
解析雙極性步進(jìn)電機(jī)的基礎(chǔ)知識(shí)
雙極性步進(jìn)電機(jī)的基礎(chǔ)知識(shí) 雙極性步進(jìn)電機(jī)包含兩繞組,為了使電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn),不斷的給這兩個(gè)線圈加以相位差90度的正弦波,步進(jìn)電機(jī)就開(kāi)始轉(zhuǎn)動(dòng)起來(lái)。 通常,步進(jìn)...
電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。 我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOS...
如何判斷在什么合適時(shí)間應(yīng)當(dāng)使用PWM控制器?
PWM是一種適用于多種電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的控制方法。任何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電源都有非常廣泛的用途,可謂無(wú)處不在;而PWM的應(yīng)用范圍也頗為廣泛。 PWM是脈沖寬度調(diào)制的...
在我為這個(gè)系列所撰寫(xiě)與熱點(diǎn)問(wèn)答有關(guān)的上一篇博文中,我曾經(jīng)解釋了什么是電氣過(guò)應(yīng)力 (EOS),它是如何影響集成電路 (IC) 組件的,以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(根...
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。
2018-07-26 標(biāo)簽:MOSFETEMI柵極驅(qū)動(dòng)器 8214 0
驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率級(jí)的性能如何提高電動(dòng)工具設(shè)計(jì)
使用電動(dòng)工具、園藝工具和吸塵器的家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)。這些工具使用有刷直流 ( BDC)或三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)...
2018-07-25 標(biāo)簽:pcbMOSFETCSD88584Q5DC 6771 0
深度分析IGBT基礎(chǔ)知識(shí)與運(yùn)用
IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件。
為音頻放大器選擇合適的帶內(nèi)部或外部揚(yáng)聲器
選擇合適的放大器總會(huì)涉及在系統(tǒng)類型、成本和性能之間做出權(quán)衡。設(shè)備性能包括音頻性能、熱性能和功能設(shè)置。在這篇博文中,我們將討論如何指定系統(tǒng)額定功率以及如何...
幾種能夠?qū)崿F(xiàn)快速短路保護(hù)的方法,并且通過(guò)實(shí)際測(cè)試驗(yàn)證了可行性
目前有4種常用的短路檢測(cè)及保護(hù)方法,其原理示意圖如圖4所示。其中最直接的方式就是使用電流探頭或者分流電阻檢測(cè)漏極電流。業(yè)界最常用的方法是檢測(cè)飽和壓降。M...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以...
2018-07-11 標(biāo)簽:MOSFET 23.3萬(wàn) 0
如何選擇用于熱插拔的MOSFET(金氧半場(chǎng)效晶體管)
當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開(kāi)時(shí),電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)生巨大的尖峰電壓,對(duì)電路上的電子元件造成十分不利的影響。
入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例
對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢(shì),包括更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開(kāi)關(guān)損耗 9930 0
隔離型反激式轉(zhuǎn)換器和非隔離型降壓轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)資料介紹
在傳統(tǒng)的隔離型高電壓反激式轉(zhuǎn)換器中,嚴(yán)緊的調(diào)節(jié)是采用光耦合器把調(diào)節(jié)信息從副邊參考電路傳輸至主邊來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這種做法的問(wèn)題是光耦合器給隔離型設(shè)計(jì)增加了明顯的...
2018-07-03 標(biāo)簽:MOSFET光耦合器反激式轉(zhuǎn)換器 8484 0
最新關(guān)于全波橋式整流器的設(shè)計(jì)詳細(xì)解析
大多數(shù)電子元器件都需要一個(gè)來(lái)自AC電力線的輸入電源。對(duì)于電壓穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)模式電源和其它下游電子組件來(lái)說(shuō),一個(gè)全橋或半橋二極管整流器器件對(duì)正弦AC電壓波形...
電氣接口的離散輸出H橋驅(qū)動(dòng)的詳細(xì)資料概述
h橋驅(qū)動(dòng)。除了表B61中給出的h橋驅(qū)動(dòng)器的規(guī)范之外,還必須指定表B62中的參數(shù)。
2018-07-01 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)元件H橋驅(qū)動(dòng) 5391 0
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