mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

UCC21540 5.7kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 IGBT 186 0

UCC21541 5.7kVrms 1.5A/2.5A 雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器封裝 197 0

UCC21530 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21530 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計用于驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFE...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 封裝峰值電流 195 0

UCC21530-Q1 汽車級、4A、6A、5.7kVRMS、隔離式雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21530-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計用于驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MO...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 峰值電流柵極驅(qū)動器 177 0

LM5108 具有使能和互鎖功能的 2.6A、110V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5108 是一款高頻半橋柵極驅(qū)動器，最大開關(guān)節(jié)點（HS）額定電壓為 100V。它允許在基于半橋配置的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中控制兩個 N 溝道 MOSFET，...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET LLC 額定電壓 173 0

UCC23513 5.7kVrms，4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 光耦合器 IGBT 209 0

UCC21732-Q1 汽車類 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21732-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計，具有先進(jìn)的保...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 152 0

UCC21540A 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 GaN 159 0

UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT FET 453 0

UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流，設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC M...

2025-05-17 標(biāo)簽：電源 MOSFET SiC 406 0

UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計，具有先進(jìn)的保護功能、一流...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 501 0

LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LMG1025-Q1 是一款單通道低側(cè)增強型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅(qū)動器，適用于高開關(guān)頻率汽車應(yīng)用。窄脈沖寬度能力、快速開關(guān)規(guī)格和...

2025-05-17 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 驅(qū)動器 379 0

UCC21750-Q1 汽車5.7kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21750-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計，具有先進(jìn)的保...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 308 0

UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計，具有先進(jìn)的保護...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 353 0

UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5350-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流，設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管峰值電流 364 0

UCC27282-Q1 具有 5V UVLO、互鎖和使能功能的汽車類 3A、120V 半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27282 -Q1 是一款堅固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器，最大開關(guān)節(jié)點（HS）額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器電源電壓 253 0

UCC27288 具有 8V UVLO 且無內(nèi)部自舉二極管的 2.5A 至 3.5A 120V 半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27288 是一款堅固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器，最大開關(guān)節(jié)點（HS）額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)?..

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器下拉電阻 268 0

UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 2 級關(guān)斷功能，用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊

UCC21732 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計，具有先進(jìn)的保護功能...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT CMT 306 0

UCC27284-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27284 -Q1 是一款穩(wěn)健的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器，最大開關(guān)節(jié)點（HS）額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器控制器 269 0

無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFE...

2025-05-16 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET 半導(dǎo)體 333 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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COMSOL集團是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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