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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LM5046系列 帶集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的相移全橋 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5046 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn) 采用電流模式或電壓模式的相移全橋拓?fù)潆娫崔D(zhuǎn)換器 控制。該器件旨在工作在隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的初級(jí)側(cè),具有 輸...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器電流模式 495 0
UCD74106 數(shù)字同步降壓電源驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCD74106 是一個(gè)完整的電源系統(tǒng),隨時(shí)準(zhǔn)備驅(qū)動(dòng)降壓電源 ()。高側(cè) MOSFET、低側(cè) MOSFET、驅(qū)動(dòng)器、電流傳感電路和必要的保護(hù)功能都集成到...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源系統(tǒng) 357 0
創(chuàng)新非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用
保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。在本文中,我們將重點(diǎn)介紹非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列,這些二極管非常適合用于硅碳...
基于ADI MAX17598的二次自整流電路設(shè)計(jì)
對(duì)于有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC),占空比是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),會(huì)影響輸出電壓和效率。通常,正激轉(zhuǎn)換器的最大占空比以50%為限。采用有源鉗位技術(shù),占空比可以高...
TPS51601A 具有死區(qū)時(shí)間控制的 30V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51601A 是一款同步降壓 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,具有 集成升壓開關(guān)。這款高性能驅(qū)動(dòng)程序能夠 驅(qū)動(dòng)具有最高 速度和最低的開關(guān)損耗。自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器封裝 302 0
安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì),SiC JFET cascode應(yīng)用指南...
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。
UCD74120 14 V、25 A 同步降壓功率級(jí),帶輸出電流監(jiān)控技術(shù)資料
UCD74120 是一款多芯片模塊,將一個(gè)驅(qū)動(dòng)器器件和兩個(gè) NexFET 功率 MOSFET 集成到一個(gè)熱增強(qiáng)型緊湊型 5 mm × 7 mm QFN ...
2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器降壓轉(zhuǎn)換器 281 0
LM5122系列 具有多相能力的 3-65V 寬 Vin、電流模式同步升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5122 是一款支持多相的同步升壓控制器,適用于高效同步升壓穩(wěn)壓器 應(yīng)用??刂品椒ɑ诜逯惦娏髂J娇刂啤k娏髂J娇刂铺峁┕逃械木€路前饋、逐周期電流限...
LM27403 3V 至 20V 電壓模式同步降壓控制器和溫度補(bǔ)償型 DCR 電流感應(yīng)數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM27403 是一款功能豐富、易于使用的同步降壓控制器產(chǎn)品 卓越的集成度和性能水平,可在高功率密度下實(shí)現(xiàn)卓越的效率, 負(fù)載點(diǎn) (POL) DC-DC ...
LM5121-Q1系列 汽車類 3-65V 寬 VIN、電流模式同步升壓,具有斷開開關(guān)控制功能技術(shù)資料
LM5121 是一款同步升壓控制器,旨在實(shí)現(xiàn)高效率、高功率 升壓穩(wěn)壓器應(yīng)用。控制方法基于峰值電流模式控制。當(dāng)前 模式控制提供固有的線路前饋、逐周期電流 ...
2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFET峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 309 0
LM5121系列 3-65V 寬 Vin,電流模式同步升壓,帶斷開開關(guān)控制技術(shù)資料
LM5121 是一款同步升壓控制器,旨在實(shí)現(xiàn)高效率、高功率 升壓穩(wěn)壓器應(yīng)用??刂品椒ɑ诜逯惦娏髂J娇刂啤.?dāng)前 模式控制提供固有的線路前饋、逐周期電流 ...
2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFET峰值電流柵極驅(qū)動(dòng)器 343 0
UCD7242-EP 數(shù)字雙通道同步降壓型電源驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCD7242 是一個(gè)完整的電源系統(tǒng),可隨時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)獨(dú)立的降壓電源。高壓側(cè) MOSFET、低壓側(cè) MOSFET、驅(qū)動(dòng)器、電流感應(yīng)電路和 必要的保護(hù)功能全...
2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器同步整流器 363 0
高速超大規(guī)模集成電路的尺寸的不斷減小,功耗的不斷降低,要求供電電壓也越來越低,而輸出電流則越來越大。
2025-03-25 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 1.0萬 0
UCC24630 具有超低待機(jī)電流的同步整流控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC24630 SR 控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器,用于用于次級(jí)側(cè)同步整流的 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器和 MOSFET 的...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
LM25122-Q1 3-42V 寬 VIN、具有多相功能的同步升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM25122 是一款多相同步升壓控制器,適用于高效同步升壓穩(wěn)壓器應(yīng)用??刂品椒ɑ诜逯惦娏髂J娇刂?。電流模式控制提供固有的線路前饋、逐周期電流限制和輕...
UCC24636 具有超低待機(jī)電流的同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC24636 SR 是一款緊湊的 6 引腳次級(jí)側(cè)同步整流器 MOSFET 控制器和驅(qū)動(dòng)器,用于在非連續(xù) (DCM) 和 過渡模式 (TM)。與測(cè)量 ...
LM5022-Q1系列 6-60V 寬輸入電壓、電流模式升壓、SEPIC 和反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5022-Q1 是一款高電壓低側(cè) N 溝道 MOSFET 控制器,非常適合用于 升壓和 SEPIC 穩(wěn)壓器。它包含實(shí)現(xiàn)單端所需的所有功能 主要拓?fù)洹?..
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