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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,氮化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性...
MOSFET的米勒平臺(tái)電壓很重要,1400字教你兩種方式計(jì)算出米勒平臺(tái)電壓值
Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開關(guān)過程中,由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在,漏極電壓的變化會(huì)通過該電容耦合到柵極,導(dǎo)...
在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,整流是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),而同步整流與非同步整流作為兩種常見的整流方式,它們有著諸多不同之處,這些差異直接影響著電源電路的性能表現(xiàn)。 從整流元...
溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性,在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)...
碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討...
柵極驅(qū)動(dòng)器的定義和結(jié)構(gòu)
柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件,主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信...
2025-02-02 標(biāo)簽:MOSFET晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 911 0
超結(jié)功率MOSFET在高電壓開關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位,適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,突破了傳統(tǒng)硅極限?,...
2025-01-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源芯片 727 0
現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)安全具有重要影響,本文探討了Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理。 ? 半橋、全橋和 LLC...
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝,使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能;采用深溝槽、...
2025-01-03 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī) 1116 0
MOSFET產(chǎn)品在主板CPU供電應(yīng)用與接口防護(hù)方案
電腦在現(xiàn)代生活中扮演著不可或缺的角色,已經(jīng)成為我們生活的一部分?。無論是在工作、學(xué)習(xí)還是娛樂方面,電腦都極大地提高了效率和便利性。電腦主板是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的...
2025-01-02 標(biāo)簽:MOSFETcpu計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 973 0
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車(EV)等。然而,市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)...
2025-01-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 1150 0
既然MOSFET柵-源阻抗非常大,為什么設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)MOS電路的柵極電流還要大?1200字說清楚
三極管是流控型器件,通過電流控制三極管的工作區(qū),而MOSFET與之相對(duì)是壓控型器件,柵-源阻抗非常大,我們一般認(rèn)為MOSFET柵-源工作電流可以忽略,那...
優(yōu)恩半導(dǎo)體MOSFET固態(tài)繼電器介紹
Relay繼電器作為一種可控開關(guān),它能夠根據(jù)輸入信號(hào)的變化將微弱的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為能夠驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的強(qiáng)電信號(hào),自動(dòng)地接通或斷開電路,實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離控制和自動(dòng)化操作。
2024-12-31 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器浪涌保護(hù) 615 0
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不...
自主移動(dòng)機(jī)器人設(shè)計(jì)指南
自主移動(dòng)機(jī)器人(AMR)是一種復(fù)雜的系統(tǒng),與自動(dòng)駕駛汽車有許多共同之處--它們需要感知、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、照明和電池管理。也許最大的挑戰(zhàn)是將這些子系統(tǒng)...
2024-12-29 標(biāo)簽:MOSFET自動(dòng)駕駛自主移動(dòng)機(jī)器人 833 0
隨著電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)碳化硅(SiC)功率器件需求的增加,加速了市場(chǎng)的增長。在這一過程中,終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...
安森美SiC MOSFET在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
如今,數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體,以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少,從而降低散熱成本。
AiP44531/AiP44532通用單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器參數(shù)
AiP44531/AiP44532是一款通用單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,直接驅(qū)動(dòng)IGBT,功率MOSFET,繼電器等功率開關(guān)。...
2024-12-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源管理 706 0
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