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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電力場(chǎng)效應(yīng)管(特別是MOSFET)的安全工作區(qū)(SOA,Safe Operating Area)是指在該區(qū)域內(nèi),MOSFET能夠安全、穩(wěn)定地工作,而不會(huì)...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 994 0
電力場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2427 0
電力場(chǎng)效應(yīng)管的靜態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1553 0
電力場(chǎng)效應(yīng)管和MOSFET的區(qū)別
電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱Power FET)和MOSFET(Metal-Oxide-Semicon...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1601 0
柵極驅(qū)動(dòng)ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)ic選型看哪些參數(shù)
一、柵極驅(qū)動(dòng)IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色,它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 : 柵極驅(qū)動(dòng)IC :柵極驅(qū)動(dòng)...
BuckBoost負(fù)壓變換器最基本的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,如果把BuckBoost負(fù)壓變換器功率MOSFET管和二極管移動(dòng)到下面,電路工作狀態(tài)和放在上面完全一樣。
2024年預(yù)計(jì)家電市場(chǎng)的全年零售規(guī)模將同比增長(zhǎng)0.7%,顯示出回暖的跡象。在家電領(lǐng)域,電源管理ic展現(xiàn)出了穩(wěn)健復(fù)蘇的趨勢(shì)。因此,電源管理ic廠商應(yīng)該抓住...
LDO穩(wěn)壓器和串聯(lián)穩(wěn)壓器的區(qū)別
LDO穩(wěn)壓器(Low-Dropout Regulator)和串聯(lián)穩(wěn)壓器在電子領(lǐng)域中都是常見的穩(wěn)壓器件,它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-09-11 標(biāo)簽:MOSFETLDO穩(wěn)壓器串聯(lián)穩(wěn)壓器 993 0
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET產(chǎn)品介紹
晶揚(yáng)電子作為國(guó)內(nèi)業(yè)內(nèi)著名的“電路與系統(tǒng)保護(hù)專家” ,生產(chǎn)的2N7002KX型N溝道MOSFET管,因其優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。本文將深入介...
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們...
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子工...
2024-10-06 標(biāo)簽:MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5935 0
評(píng)估超結(jié)功率 MOSFET 的性能和效率
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長(zhǎng)期以來,超結(jié)功率 MOSFET 在高電壓開關(guān)應(yīng)用中一直占據(jù)主...
唯樣代理 適用于48V電池?cái)嚅_開關(guān)的80V雙門極MOSFET及其應(yīng)用仿真
? ? ? ? 現(xiàn)代車輛電氣系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)變得越來越復(fù)雜。這是由于負(fù)載數(shù)量的增加,從鉛酸電池轉(zhuǎn)變?yōu)殇囯x子或其他類型電池,以及對(duì)失效可操作等功能安全措施的需求...
離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢(shì)
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲(chǔ)能正以其經(jīng)濟(jì)性,電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展,其中離網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景下,不平衡負(fù)載帶載能力,諧波畸變度等都是其...
利用智能電源器件開關(guān)突破簡(jiǎn)單解決方案的局限性
作者: Bill Schweber “簡(jiǎn)單易行”是眾所周知的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則和良好的工程實(shí)踐。畢竟,添加的組件越多,出錯(cuò)或出現(xiàn)意外的可能性就越大。此外,還會(huì)對(duì)材...
2024-10-02 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)電源器件 672 0
使用先進(jìn)的開關(guān) IC 實(shí)現(xiàn)高效、功能豐富的小功率 AC/DC 電源
作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-08-13 功率約為 10 W 或更低的小功率 AC/DC 電源廣泛應(yīng)用于...
我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。1.MOSFET溫度參數(shù)的重要性在電力電子應(yīng)
GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢(shì),聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件,雖控制高效但壽命短、對(duì)過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn),通...
適用于48V電池?cái)嚅_開關(guān)的80V雙門極MOSFET及其應(yīng)用仿真詳解
現(xiàn)代車輛電氣系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)變得越來越復(fù)雜。這是由于負(fù)載數(shù)量的增加,從鉛酸電池轉(zhuǎn)變?yōu)殇囯x子或其他類型電池,以及對(duì)失效可操作等功能安全措施的需求。
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