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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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車規(guī)級(jí)MCU芯片LKS32AT086N8Q9和LKS32AT089XLN8Q9,集成32位Cortex-M0內(nèi)核與三相全橋自舉式柵極驅(qū)動(dòng)模塊,可直接驅(qū)動(dòng)...
與數(shù)字電路市場(chǎng)的大起大落不同,電源管理芯片保持著長(zhǎng)期、穩(wěn)定的增長(zhǎng)勢(shì)頭,各種電源管理芯片也在節(jié)能環(huán)保這一領(lǐng)域發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。
MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,在開(kāi)關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài):導(dǎo)通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過(guò)程對(duì)于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。
2024-04-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2458 0
DC/DC 開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
2024-04-25 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源控制電路 5295 0
碳化硅 (SiC) MOSFET:為汽車電氣化的未來(lái)提供動(dòng)力
隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)新模式,我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運(yùn)輸領(lǐng)域的變革,因?yàn)槲覀冃?..
同步整流芯片U7612內(nèi)部集成有智能開(kāi)通檢測(cè)功能,可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通,提高了系統(tǒng)效率及可靠性,是一款高頻率、...
介紹一款原邊反饋/內(nèi)置MOSFET適配器電源ic U6217
為了節(jié)省副邊反饋網(wǎng)絡(luò)和光耦等元件,在小功率應(yīng)用場(chǎng)合,一般電路采用PSR(原邊反饋)控制方式。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器適配器 1452 0
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 2707 0
光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們?cè)谙到y(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2301 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET,當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。
如何最大程度降低開(kāi)關(guān)電源中的寄生參數(shù)
作者:Kenton Williston 開(kāi)關(guān)模式電源(開(kāi)關(guān)電源)因其高效性和靈活性而廣受歡迎。但它們也帶來(lái)了挑戰(zhàn),因?yàn)槠鋺?yīng)用已經(jīng)延伸到新的領(lǐng)域。最明顯的...
2024-05-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1280 0
利用雙 MOSFET 最大限度地提高開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率密度和性能
作者:Jens Wallmann 工業(yè)和汽車開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。雙 MO...
2024-05-05 標(biāo)簽:MOSFET印刷電路板電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1018 0
鋰離子電池充電器電流擴(kuò)展電路設(shè)計(jì)方案
原充電器以1A電流充電,若擴(kuò)流電流為1A,則在恒流充電階段時(shí)充電電流為2A。圖5中紅線為充電電池電壓特性、黑線為充電電流特性,實(shí)線為加擴(kuò)流特性,虛線為未...
IGBT的基本工作原理、開(kāi)關(guān)特性及其輸入特性
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...
電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)之高側(cè)與低側(cè)電池保護(hù)
設(shè)計(jì) BMS 時(shí),重要的是要考慮電池保護(hù)斷路器的放置位置。通常,這些電路采用 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn),因?yàn)榕c P 溝道 MOSFET 相比,它們的...
2024-04-18 標(biāo)簽:MOSFETCAN總線電池管理系統(tǒng) 3837 0
在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)
使用電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試結(jié)果,按照油耗測(cè)試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真,確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對(duì)電耗的改善效果。
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用,其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。
2024-04-17 標(biāo)簽:MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3708 0
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