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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感,例如圖中的L,它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路:對(duì)開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振,進(jìn)而引...
2024-04-16 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電阻MOSFET 891 0
基于JEDEC柵電荷測(cè)試方法測(cè)量MOSFET的柵電荷
在柵極電荷方法中,將固定測(cè)試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測(cè)量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來(lái)開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管SiC 1718 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...
車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對(duì)比
功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...
如何看懂MOSFET數(shù)據(jù)表常見的數(shù)據(jù)
Qrr 甚至可以對(duì)測(cè)試執(zhí)行性的二極管正向電流 (If) 具有更強(qiáng)的依賴關(guān)系。而進(jìn)一步使事情復(fù)雜化的原因在于,某些廠商未將QOSS 作為一個(gè)單獨(dú)參數(shù)包含在...
PWM整流和相控整流是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的整流技術(shù),它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中各自發(fā)揮著重要作用。
開關(guān)電源芯片U6113設(shè)計(jì)助力EMI系統(tǒng)性能優(yōu)化
開關(guān)電源芯片把開關(guān)電源所需要的控制邏輯都集成在芯片中,作用當(dāng)然是來(lái)簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、提高可靠性的。
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對(duì)在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長(zhǎng)。而在電動(dòng)汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
主動(dòng)整流技術(shù),也叫同步整流技術(shù),是近些年來(lái)出現(xiàn)的,為了提高整流效率,使用主動(dòng)控制的功率MOSFET開關(guān)來(lái)代替整流二極管的一種技術(shù)。
Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加...
為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器?柵極驅(qū)動(dòng)器及其應(yīng)用介紹
柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。
2024-04-02 標(biāo)簽:MOSFET寄生電容驅(qū)動(dòng)芯片 2346 0
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運(yùn)行過程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過程中對(duì)基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對(duì)...
碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析
碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn), 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。
電源管理芯片怎么測(cè)好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個(gè)電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特...
基極電壓升高時(shí),BJT的基極電流開始流動(dòng),集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發(fā)生電流流動(dòng)。這個(gè)電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓(VBE)。
穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過程中,電流有逐步增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出...
深度解析MOS場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用實(shí)例
MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來(lái)分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無(wú)論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
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