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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加...
為什么需要柵極驅(qū)動器?柵極驅(qū)動器及其應(yīng)用介紹
柵極驅(qū)動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號,從而實現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運行過程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過程中對基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對...
碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析
碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動能力要求相對低等特點, 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。
電源管理芯片怎么測好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特...
穿通擊穿的擊穿點軟,擊穿過程中,電流有逐步增大的特征,這是因為耗盡層擴展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出...
MOSFET的輸入電阻很高,高達109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強型和耗盡型。
安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)芯片—U7715
同步整流芯片U7715是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān),可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢下的SmartFET應(yīng)用
汽車市場正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢方向,而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展,以實現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動駕駛支持。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
開關(guān)電流的浪涌電流是指電源開啟瞬間流入供電設(shè)備的峰值電流,如下所示,由于充電器的輸入濾波電容快速充電,峰值電流遠大于穩(wěn)態(tài)輸入電流。
2024-03-18 標簽:MOSFET開關(guān)電源晶閘管 3148 0
探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動設(shè)計的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路,評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
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