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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個(gè) P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFET阻抗匹配場效應(yīng)晶體管 2090 1
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
FCL的基本工作原理是通過快速改變電路的阻抗來限制故障電流。它通常由電力電子器件(如IGBT、MOSFET等)及其控制電路組成。
2024-02-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 2028 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面,通常使用氧化硅(SiO2)等絕緣材料,用于隔離控制電極(柵極)與功率電極(P區(qū)和N+區(qū))。
電源驅(qū)動(dòng)ic的作用是什么 電源IC驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖
電源驅(qū)動(dòng)IC的作用是提供對(duì)電源開關(guān)器件的精確控制,同時(shí)保護(hù)電源和提供反饋控制功能,幫助實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和可靠的電源系統(tǒng)。
丙類放大器通過在不同的輸入信號(hào)振幅下在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的高效放大。
柵控二極管的工作原理基于電子輸運(yùn)過程中的沖擊電離效應(yīng)。當(dāng)電子從n型區(qū)域進(jìn)入p型區(qū)域時(shí),由于內(nèi)部電場的作用,電子的能量增加。
在晶體管和MOSFET等器件中,整流柵的控制電壓可以控制電流通過器件的方向。當(dāng)整流柵施加正向電壓時(shí),它將通導(dǎo),讓電流從源極流向漏極,實(shí)現(xiàn)正向電流的導(dǎo)通。
升壓轉(zhuǎn)換器是一種電力電子轉(zhuǎn)換器,用于將低電壓轉(zhuǎn)換為高電壓。它是DC-DC(直流-直流)轉(zhuǎn)換器的一種,通常用于各種應(yīng)用,包括電源管理、電池充電、LED驅(qū)動(dòng)等。
該電路由一個(gè)瞬時(shí)按鈕開關(guān)控制。在按下 SW1 之前,整個(gè)電路處于睡眠模式,消耗的電流為零。關(guān)閉 SW1 允許 Q2 在 IC1 的幫助下導(dǎo)通,IC1 是...
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...
2024-01-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET場效應(yīng)晶體管 2991 0
如何在挑戰(zhàn)性環(huán)境中優(yōu)化 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的熱性能
作者:Jeff Shepard 投稿人:DigiKey 北美編輯 無刷直流 (BLDC) 電機(jī)越來越多地用于熱條件苛刻的環(huán)境中,如電動(dòng)汽車 (EV) 等...
如何在空間受限型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)有效的功率控制
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 諸如耳塞、智能手表、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí) (AR)/虛擬現(xiàn)實(shí) (VR) 眼鏡和助聽器之類可穿戴設(shè)備正變得越...
為什么要學(xué)數(shù)電?毫不夸張地說,數(shù)電帶來了信息化時(shí)代。大家身邊所有的電器,里面都會(huì)有一塊或多塊電路板,上面基本都會(huì)有若干個(gè)芯片,芯片內(nèi)部里面跑的全是數(shù)字信...
2024-01-26 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管電路板 3187 0
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數(shù):雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
描述:MOSFET的最大允許電壓。參數(shù):額定電壓 - VR (Voltage Rating)
2024-01-26 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 2394 0
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