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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率放大器主要解決低功率信號放大的問題,它可以將來自低功率信號源的電信號放大為高功率信號,以便驅(qū)動需要更高功率的負(fù)載。功率放大器的種類繁多,包括晶體...
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的...
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源降壓轉(zhuǎn)換器 3033 0
針對工業(yè)和汽車應(yīng)用的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器具有獨特的電源解決方案要求。在證明其易用性、高效率、小巧尺寸和較低的總體物料清單成本后,4開關(guān)同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器...
2015-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器輸出電壓 3026 0
耗盡型MOSFET實現(xiàn)雙向過流、過壓保護(hù)的應(yīng)用電路
該電路實現(xiàn)過流、過壓保護(hù)的主要原理與 圖2 電路基本一致。不過當(dāng)電路觸發(fā)過流、過壓保護(hù)功能時,僅是電流方向為D→S的MOSFET實現(xiàn)保護(hù)作用。對于另外一...
2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路過壓保護(hù) 3010 0
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...
2024-01-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET場效應(yīng)晶體管 3005 0
就拿最常見的電腦主板的CPU來舉例,Intel QX6850 CPU 設(shè)計可承受的最大工作電流為125安倍
2023-09-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管散熱器 3004 0
采用智能型集成MOSFET驅(qū)動器增加數(shù)字電源控制器的性能可靠性
在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MO...
2021-04-15 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2999 0
高度集成的開關(guān)穩(wěn)壓器單片式解決方案解析
開關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu),也可以通過控制器構(gòu)建。在單片式開關(guān)穩(wěn)壓器中,各功率開關(guān)(一般是MOSFET)會集成在單個硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時,除了控制...
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 2996 0
降壓轉(zhuǎn)換器是一個簡單的電路。圖 1 是降壓轉(zhuǎn)換器的簡化原理圖。MOSFET 高壓側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷??刂?IC(未圖示)使用閉合反饋環(huán)路來控制...
輻射這東西,看不見摸不著,整改還按小時算,一不小心幾萬塊就沒了。不得不說,EMC整改,真難。本文主要分享理論+實際案例,文章篇幅較長,建議先收藏再閱讀。
2023-05-29 標(biāo)簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 2989 0
開關(guān)穩(wěn)壓器是一種電子電源電路,用于將不穩(wěn)定的輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。它通過周期性地開關(guān)和關(guān)閉電路中的開關(guān)元件(通常是晶體管或功率MOSFET),以...
2024-01-15 標(biāo)簽:電路圖MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 2988 0
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 標(biāo)簽:放大器MOSFET場效應(yīng)管 2986 0
JWH5141杰華特DCDC完全兼容芯洲SCT2A23ASTER方案
JWH5141杰華特DCDC完全兼容芯洲SCT2A23ASTERPin4引腳定義不同:SCT:modeJW:RT產(chǎn)品描述JWH5141F是基于恒定導(dǎo)通時...
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計過程中的局限性
一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計為在有限時間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計和制造。
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 2981 0
MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時,任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源,支持從正在工作的...
在電動機控制等部分應(yīng)用中,放緩開關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過快會導(dǎo)致電動機上出現(xiàn)電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進(jìn)而縮短電動機壽命。
SiC設(shè)計分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設(shè)計工程師在選擇功率開關(guān)器件時參考!
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