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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2228 0
MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南
驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現(xiàn),因為輸入電壓不會作用到這些電路上。
開關(guān)電源芯片U6217定位準(zhǔn)確快速有效
越來越多的游戲愛好者喜歡玩一些格斗游戲,既能享受到游戲帶來的樂趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來搭配游戲體驗。
越來越多的游戲愛好者喜歡玩一些格斗游戲,既能享受到游戲帶來的樂趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來搭配游戲體驗。國內(nèi)躋身游戲外設(shè)電子產(chǎn)品賽...
儲能用更多的 IGBT 和 SiC,涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個環(huán)節(jié)。兩種方案,光儲一體以及單獨(dú)儲能系統(tǒng)。獨(dú)立的儲能系統(tǒng),功率半導(dǎo)體器件的用量是...
2023-12-07 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1145 0
碳化硅MOSFET在數(shù)據(jù)中心能源管理中的應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心通常依靠高頻功率轉(zhuǎn)換來有效地分配和管理電力,而SiC MOSFET具有低開關(guān)損耗和快速開關(guān)速度,可實現(xiàn)高頻操作。
2023-12-06 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器不間斷電源 1243 0
碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時需注意的事項有哪些?
技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時,通常需要采取一些措施保障來處理可能會出現(xiàn)的問題。
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效,充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對于 M...
Saber在機(jī)電一體化設(shè)計中的應(yīng)用
Saber是Synopsys公司的模擬及混合信號仿真軟件,可以同時對模擬信號、事件驅(qū)動模擬信號、數(shù)字信號以及模數(shù)混合信號設(shè)備進(jìn)行仿真。
2023-12-05 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動電荷泵 1289 0
如何在SaberRD中產(chǎn)生120°操作的三相逆變器脈呢?
三相逆變器將直流輸入轉(zhuǎn)換為三相交流輸出?;镜娜嗄孀兤饔扇齻€單相逆變器開關(guān)組成,每個開關(guān)分別連接到三個負(fù)載端子。
碳化硅(SiC)是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造電動汽車(EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...
MOSFET的結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)波形分析
基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng),同步Buck變換器的續(xù)流開關(guān)管、以及次級同步整流開關(guān)管, 其體內(nèi)寄生的二極管都會經(jīng)歷反...
MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡析
本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...
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