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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET的結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)波形分析
基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng),同步Buck變換器的續(xù)流開關(guān)管、以及次級同步整流開關(guān)管, 其體內(nèi)寄生的二極管都會經(jīng)歷反...
MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡析
本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛,因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果,對于MOSFET的進(jìn)一步...
從底層重新認(rèn)識D觸發(fā)器、建立時間和保持時間
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或 IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)是一種場效應(yīng)晶體管,它在柵極和主體之間利用絕緣體(如 SiO2)。如今,...
2023-12-04 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管D觸發(fā)器 2247 0
基于溝道的硅碳功率金氧半場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)(FOM)帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯,提高了多種應(yīng)用的效...
ID: 最大漏源電流.是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID .此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
2023-12-01 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.9萬 0
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用介紹
圖1顯示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導(dǎo)地位,特別是在1700V以上產(chǎn)品。作為業(yè)界最高電壓阻斷能力(高達(dá)4700V)器件的制造商
2023-12-01 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源散熱器 875 0
常見NMOS和PMOS的原理與區(qū)別 MOS管應(yīng)用電路設(shè)計
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源產(chǎn)品優(yōu)勢
基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導(dǎo)體應(yīng)用市場持續(xù)擴(kuò)大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動電源作為專為IG...
按施敏教授的觀點,半導(dǎo)體器件有四個最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時半導(dǎo)體表面不是反型的,此時由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會導(dǎo)通。...
金屬-絕緣體(氧化層)-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu),金屬作為柵極,當(dāng)柵極零偏時,理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的,意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒有凈電荷存在。
什么是IPD?MOSFET和IPD的區(qū)別?IPD在車載行業(yè)中的應(yīng)用
IPD 的全稱是 Intelligent Power Device,即“具有智能功能的電源器件”。根據(jù)制造商的不同,其叫法也不一樣,有時也被稱為 Sma...
2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFETIPD過熱保護(hù)電路 1.8萬 0
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心,它是制造電子和計算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多,不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:集成電路MOSFET半導(dǎo)體材料 2029 0
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