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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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什么是反激電源?反激電源設(shè)計(jì)步驟和注意事項(xiàng)
反激電源是一種電力轉(zhuǎn)換電路,能夠?qū)⒅绷麟妷恨D(zhuǎn)換成所需的交流電壓并為負(fù)載供電。反激電源的基本原理是通過控制開關(guān)器件(MOSFET、IGBT等)導(dǎo)通和截止時(shí)...
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT轉(zhuǎn)換電路 1.2萬 0
一款高度集成、高可靠性的半橋IPM驅(qū)動(dòng)電路CS5755SDQ
CS5755SDQ是一款高度集成、高可靠性的半橋IPM驅(qū)動(dòng)電路,主要應(yīng)用于較低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng),如風(fēng)扇電機(jī)、水泵等。
功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計(jì)一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢
HL型柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析
引言:在多相電源控制器里,PWM波輸出最為常見,但是HL型也使用較多,與PWM型相比,HL型控制更為獨(dú)立,更為靈活,抗干擾能力也較好,唯獨(dú)就是需要兩...
2023-11-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 1787 0
傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動(dòng)化趨勢帶來了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長,但同時(shí)大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術(shù)挑戰(zhàn)。
我一直認(rèn)為,對(duì)于電子工程師來講,最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊,可能一開始讀起來會(huì)很吃力,但只要你能堅(jiān)持住,并且本著一種不懂就問,不會(huì)就查...
三相全橋智能功率模塊(IPM)-CS5755MT產(chǎn)品概述
CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,主要應(yīng)用于較低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng),如風(fēng)扇電機(jī)。
CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,主要應(yīng)用于較低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng),如風(fēng)扇電機(jī)。其內(nèi)置了 6 個(gè)快恢復(fù) MOSFET 和 ...
2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路功率模塊 1099 0
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)...
使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(jì)(下)
盡管說如今的充電器,集成度越來越高,外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(jì)(上)
盡管說如今的充電器,集成度越來越高,外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
耗盡型MOSFET為負(fù)載提供過壓保護(hù)的應(yīng)用
在上述電路中,選擇合適的穩(wěn)壓二極管VD1,即可得到穩(wěn)定的輸出電壓Vout。
2023-11-08 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET穩(wěn)壓二極管 1318 0
在一些電路的設(shè)計(jì)中,不光是開關(guān)電源電路中,經(jīng)常會(huì)使用MOS管,正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問題,更是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié),MOS管選擇不好有可能影...
2023-11-08 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFETMOS管 1096 0
碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析
碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn),因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件,尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...
ARK(方舟微)DMZ6005E在PD快充方案中的應(yīng)用說明
待機(jī)零功耗是未來電源管理方案的發(fā)展趨勢,各大PD快充方案均有待機(jī)低功耗解決方案,但選擇DMZ6005E(ARK(方舟微)DMMOS ?系列產(chǎn)品之一,耗盡...
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