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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

經(jīng)典電路分析:擴(kuò)展運(yùn)放輸出電壓范圍

經(jīng)典電路分析:擴(kuò)展運(yùn)放輸出電壓范圍

有時(shí)實(shí)際工作中需要高輸出電壓,在此我們給出一個(gè)能夠擴(kuò)展輸出電壓擺幅而保持電路的其他特性(比如帶寬、擺率基本不變)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

2023-10-18 標(biāo)簽:放大器MOSFET跟隨器 3734 0

信號(hào)是怎么在晶體管中被放大的?

信號(hào)是怎么在晶體管中被放大的?

根據(jù)摻雜不同可以分為NPN管和PNP管,有E(發(fā)射極)、B(基極)、C(集電極)三個(gè)極,兩個(gè)PN結(jié)(發(fā)射結(jié)和集電結(jié))。

2023-10-18 標(biāo)簽:MOSFET放大電路晶體管 1084 0

淺析平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)

淺析平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)

在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的

2023-10-18 標(biāo)簽:功率二極管MOSFET晶閘管 1019 0

功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

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眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率,且開關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))...

2023-10-18 標(biāo)簽:二極管MOSFETJFET 3562 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

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Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說,MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4889 0

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 442 0

利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車電池的充電能力

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終端用戶希望新的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車輛的空閑時(shí)間,尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。

2023-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET充電器 760 0

開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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電源常用的開關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN,這幾種器件均為電壓驅(qū)動(dòng)型器件,不同類型器件的驅(qū)動(dòng)電路也不完全相同

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器變換器 2093 0

汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET解決方案

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 新型應(yīng)用中有4大要素在推動(dòng)汽車電子功率器件的演進(jìn):足夠的關(guān)斷電壓等級(jí) (Bvdss)、 系統(tǒng)功率要求、系統(tǒng)智能性/生存能力 (Survivability)。

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFETIC汽車電子 348 0

MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算

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在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管寄生電容 5284 0

用于最高電壓等級(jí)的硅IGBT和碳化硅MOSFET

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對(duì)于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?,再到更?fù)雜的變流器

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 1340 0

單相PFC電路設(shè)計(jì)

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功率因數(shù)校正(Power Factor Correction,PFC)技術(shù)分為無源功率因校正數(shù)和有源功率因數(shù)校正兩種,其中有源功率因數(shù)校正方式應(yīng)用最為廣泛。

2023-10-16 標(biāo)簽:二極管MOSFET升壓電路 6325 0

MOSFET驅(qū)動(dòng)器的工作原理  MOSFET作為開關(guān)的作用

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當(dāng)我們使用 MCU(微控制器)制作產(chǎn)品或者搭建電路時(shí),有時(shí)候希望通過 MCU 控制某些外設(shè)。外設(shè)可能是一個(gè)需要極小電流的設(shè)備,比如 LED,或者是大功率...

2023-10-16 標(biāo)簽:微控制器mcuMOSFET 3878 0

GPIO推挽輸出和開漏輸出電路圖分析

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輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi))。

2023-10-16 標(biāo)簽:電流MOSFETMOS 2946 0

一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

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? 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動(dòng)...

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 606 0

不同電壓和功率等級(jí)的三菱電機(jī)SiC功率器件介紹

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 除牽引逆變器外,輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關(guān)頻率提升。開關(guān)頻率的增加通常允許減小無源元件(如變壓器、...

2023-10-15 標(biāo)簽:變壓器MOSFET三菱電機(jī) 1496 0

TOLL及TO-247-4L封裝介紹

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隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測(cè)企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...

2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET散熱器驅(qū)動(dòng)電路 5347 0

具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H

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其中,溝道電阻Rch可以由下式描述。式中,L是溝道長(zhǎng)度,W是溝道寬度,μn是電子遷移率,Cox是柵極氧化層電容,VGS(on)是導(dǎo)通狀態(tài)柵極電壓,VGS...

2023-10-13 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET晶體管 950 0

半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對(duì)器件參數(shù)的影響

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當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...

2023-10-13 標(biāo)簽:二極管MOSFETMOS管 2277 0

兼容能源之星—同步整流IC U7710SG

蘋果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈(zèng)標(biāo)準(zhǔn)5V/1A手機(jī)適配器,這一變化催生了零部件市場(chǎng)大功率適配器需求的再次繁榮。

2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 719 0

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    ESP8266
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