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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
2023-10-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極 1636 0
電池保護(hù)板過(guò)充過(guò)放保護(hù)原理
如今社會(huì)電子化越來(lái)越普遍,也越來(lái)越多的產(chǎn)品內(nèi)部集成了電池,電池是一種通過(guò)內(nèi)部材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生電能的器件
氫能的四大應(yīng)用場(chǎng)景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外,還重點(diǎn)介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件,頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的OO成果,如SiC,G...
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類(lèi)型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)如何選型呢?
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)也叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 標(biāo)簽:放大器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2089 0
專(zhuān)門(mén)針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的75W電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源IC U6101S
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在工業(yè)機(jī)械、自動(dòng)化系統(tǒng)、交通運(yùn)輸和家用電器等領(lǐng)域中都廣泛應(yīng)用
2023-10-08 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器EMI設(shè)計(jì) 778 0
半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)
上回我們講到了在1959年,杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個(gè)集成電路芯片,標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式拉開(kāi)了集成電路的時(shí)代。
2023-10-07 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 992 0
如何在SPICE仿真工具中預(yù)測(cè)VDS開(kāi)關(guān)尖峰呢?
高VDS尖峰可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET雪崩,進(jìn)而導(dǎo)致器件性能下降和可靠性問(wèn)題···
2023-10-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器PCB板 1121 0
高壓功率MOSFET外延層對(duì)導(dǎo)通電阻的作用
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,...
高集成度智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦通吃MOSFET和IGBT簡(jiǎn)析
光耦也叫光電耦合器,是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成,密閉于同一殼體內(nèi),彼此用透明絕緣體隔離。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、...
碳化硅器件“上車(chē)”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)
根據(jù)研究和規(guī)?;瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序,業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵...
為什么用PTAT電流來(lái)偏置亞閾值導(dǎo)通的MOS管或BJT?
公式表明Vt與絕對(duì)溫度T成正比(PTAT)。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來(lái)偏置亞閾值區(qū)的MOS管,可以消除Vt對(duì)gm的影響。
高壓MOS管在高速吹風(fēng)機(jī)中的應(yīng)用
高速吹風(fēng)機(jī)的高轉(zhuǎn)速,主要來(lái)自直流三相無(wú)刷電機(jī),利用其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高、調(diào)速性能好、壽命長(zhǎng)、無(wú)換向火花、輸出轉(zhuǎn)矩大、體積小、重量輕的優(yōu)點(diǎn),與吹風(fēng)機(jī)進(jìn)行結(jié)合。
2023-09-28 標(biāo)簽:MOSFETMOS管吹風(fēng)機(jī) 1474 0
如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計(jì)以提高性能和能效
作者:Bill Schweber 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等,人們不遺余力...
2023-10-03 標(biāo)簽:電源MOSFET電源設(shè)計(jì) 5299 0
驅(qū)動(dòng)電路的必要組成部分有哪些 驅(qū)動(dòng)電路和控制電路的區(qū)別和聯(lián)系
將控制信號(hào)進(jìn)行放大,以能夠提供足夠的功率和電流來(lái)驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器。功率放大器通常采用晶體管、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高功率開(kāi)關(guān)元件。
碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展
在碳化硅電力電子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天,SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...
Trench工藝和平面工藝MOSFET的區(qū)別在哪呢?
上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET,為什么有時(shí)候推薦平面工藝MOSFET呢,有時(shí)候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC...
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