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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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充電器應(yīng)用基于LN2535的低成本手機(jī)充電器應(yīng)用方案——CC/CV(恒流/恒壓)5V/1A1.簡介本文是一份基于LN2535設(shè)計(jì)的低成本手機(jī)充電器的應(yīng)用...
無線充電耳機(jī)TWS是英文TrueWirelessStereo(真正無線立體聲)的縮寫,TWS技術(shù)基于藍(lán)牙芯片技術(shù)的發(fā)展,可以使耳機(jī)擺脫線路的“束縛”,實(shí)...
紅外測溫儀采用非接觸式紅外測溫槍進(jìn)行體溫篩查,是當(dāng)前新型冠狀病毒肺炎疫情監(jiān)測和排查的主要手段之一。在高速路口、火車站、飛機(jī)場、小區(qū)出入口、辦公樓宇出入口...
MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管 760 0
功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊技術(shù)解析
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊 1406 0
在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng)—探頭的CMRR
在對橋式結(jié)構(gòu)中的高邊(HS)MOSFET進(jìn)行測試時(shí),通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來觀測波形,但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會...
始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
運(yùn)算放大器的基本特性 運(yùn)算放大器有幾種類型
運(yùn)算放大器(OperaTIonal Amplifier,簡稱OP、OPA、OPAMP)是一種直流耦合﹐差模(差動模式)輸入、通常為單端輸出(Differ...
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電源電壓 3850 0
線性穩(wěn)壓器有哪些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?開關(guān)頻率如何影響穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)?
穩(wěn)壓電源(stabilized voltage supply)是能為負(fù)載提供穩(wěn)定的交流電或直流電的電子裝置,包括交流穩(wěn)壓電源和直流穩(wěn)壓電源兩大類。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓電源線性穩(wěn)壓器 1044 0
詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 4890 0
多個(gè)mos管并聯(lián)驅(qū)動電路的作用是什么
當(dāng)在高速下控制高功率時(shí),有必要仔細(xì)考慮設(shè)備的選擇及其特性中可能變化的范圍。在進(jìn)行并行連接時(shí),最重要的是避免電流集中,包括過電流,并確保在所有可能的負(fù)載條...
基于LAMP和MOSFET的Hi-Fi耳機(jī)放大器電路圖
任何追求高品質(zhì)音頻再現(xiàn)的發(fā)燒友都需要一個(gè) Hi-Fi 耳機(jī)放大器。強(qiáng)大的混合設(shè)計(jì)結(jié)合了真空管 (LAMP) 和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFE...
電子電路必須具有過流保護(hù),以防止大電流造成損害。由于開關(guān)時(shí)間快且導(dǎo)通電阻低,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)可用作過流保護(hù)電路中的開關(guān)。在本...
隨著新能源汽車的快速發(fā)展,市場的普及,越來越多的用戶在使用過程中,對新能源汽車的充電仍是一個(gè)頭疼的事情。
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