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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS管 3473 0
Nand Flash基礎(chǔ)知識(shí)與壞塊管理機(jī)制的介紹
Flash名稱的由來(lái),F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的,與此相對(duì)應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備,是以bit位為最小讀取/寫(xiě)入的單位
2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFETLinux系統(tǒng)MLC 4617 0
MOSFET是開(kāi)關(guān)和汽車(chē)應(yīng)用中非常常見(jiàn)的元件,支持低壓或高壓擺幅,并具有寬范圍的電流驅(qū)動(dòng)。高功率應(yīng)用的數(shù)量正在增加,從而產(chǎn)生了對(duì)功率MOSFET的額外需...
2023-06-30 標(biāo)簽:放大器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2409 0
全芯時(shí)代單通道低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器,可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器GaN 758 0
反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓,導(dǎo)致電流反向流過(guò)系統(tǒng)。
2023-06-29 標(biāo)簽:二極管MOSFET電路設(shè)計(jì) 1572 0
在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人,但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí),線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能(電流能量)。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí),就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)...
汽車(chē)電源管理IC(PMIC)需要增強(qiáng)柵極驅(qū)動(dòng)、動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)和卓越的瞬態(tài)性能,以優(yōu)化SoC的性能。對(duì)于降壓控制器,這就需要強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng),以驅(qū)動(dòng)高功率MO...
增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么?
MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式,而術(shù)語(yǔ)MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)。
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.1萬(wàn) 0
在設(shè)計(jì)基于 MOSFET 的電路時(shí),您可能想知道打開(kāi) MOSFET 的正確方法是什么?或者簡(jiǎn)單地說(shuō),應(yīng)該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開(kāi)?
向右滑動(dòng)即可找到與GaN/SiC開(kāi)關(guān)完美匹配的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
圖1所示電路顯示了一個(gè)電路,其中低壓微控制器與高壓域(包括輸出開(kāi)關(guān)及其柵極驅(qū)動(dòng)器)電氣隔離(出于安全原因)。更快的開(kāi)關(guān)速度意味著更快的開(kāi)關(guān)瞬變。例如,G...
2023-06-28 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 931 0
小型肖特基二極管如何最大限度地降低同步轉(zhuǎn)換器中的噪聲
每個(gè)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)人員都敏銳地意識(shí)到設(shè)計(jì)噪聲的必要性,以及效率、電路板空間、成本和開(kāi)發(fā)時(shí)間帶來(lái)的拉鋸戰(zhàn)。同步轉(zhuǎn)換器中使用的MOSFET中的體二極管是一個(gè)絕...
2023-06-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 911 0
汽車(chē)LED驅(qū)動(dòng)器仿真揭示MOSFET開(kāi)關(guān)行為
圖1中的仿真電路圖是升壓轉(zhuǎn)換器功率級(jí)的仿真電路圖,此處用于評(píng)估柵極電阻對(duì)功率級(jí)的影響。在此仿真中,我將瞬態(tài)電壓、電流和導(dǎo)通功率的大小視為潛在可靠性和EM...
2023-06-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETemi 832 0
我的首選顯示器是 LTC4365,如下所示,因?yàn)樗鼭M足了我上面列出的許多所需特性,并且價(jià)格合理,每 1K 件略高于 1 美元。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,它可以關(guān)斷一...
越來(lái)越多的無(wú)線和電池供電設(shè)備越來(lái)越多地滲透到日常生活中,其中包括電動(dòng)汽車(chē)(EV)與太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用,如何對(duì)電池進(jìn)行高效率的管理將是重要課題。本文將為...
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFETGaN電源系統(tǒng) 1286 0
這是一種更簡(jiǎn)單的方法,可以保護(hù)您的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備免受黑客攻擊
雖然物聯(lián)網(wǎng)繼續(xù)為我們的生活帶來(lái)更大的便利,但如果不加以保護(hù),智能設(shè)備也可能為惡意攻擊打開(kāi)大門(mén),這些攻擊會(huì)鉆入網(wǎng)絡(luò)并試圖訪問(wèn)敏感數(shù)據(jù)。顯然,您必須保護(hù)您的...
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET物聯(lián)網(wǎng)PUF 1053 0
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管,屬于雙極型晶體管(Bipolarjunction Transistor)。此外,晶體管還有另外一...
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 5440 0
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