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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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引言:上節(jié)(傳送門:CSS-1:?jiǎn)喂?jié)鋰電池保護(hù)解決方案-1)簡(jiǎn)單講解了PCM在充放電過程中的運(yùn)行過程,對(duì)于一個(gè)鋰電池組的PCM設(shè)計(jì)來說,不僅僅需要滿足法...
鋰基(Li+)電池在便攜式設(shè)備中變得越來越普遍。它們具有理想的特性,但往往供不應(yīng)求。交貨時(shí)間可能很長(zhǎng),除非您在電池制造商處具有首選客戶身份。因此,Li+...
2023-06-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電池 1010 0
引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時(shí)專用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H概述
光伏與儲(chǔ)能是能源電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)利用的有效途徑,在推動(dòng)碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用,碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢(shì),可有效助力光伏與儲(chǔ)能...
2023-06-12 標(biāo)簽:MOSFET電力系統(tǒng)光伏 788 0
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...
使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案
機(jī)械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題,并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
基于場(chǎng)路耦合的仿真思路,建立MOSFET的電磁場(chǎng)有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型。結(jié)合從SIwave電磁仿真軟件中提取的PCB網(wǎng)絡(luò)參數(shù),對(duì)反激變...
HFAN-03.1.1: 數(shù)字可編程低噪聲雪崩光電探測(cè)器(APD)偏置電路
描述了一種電路來偏置光纖接收器中使用的雪崩光電二極管。具有倍壓器輸出的簡(jiǎn)單升壓轉(zhuǎn)換器采用 25V 電源提供 71V 至 5V 的數(shù)字編程輸出電壓。陶瓷濾...
P溝道MOSFET(pFET)雖然比pnp晶體管貴,但不存在與pnp電路中基極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的耗散損耗。pFET 在輕負(fù)載時(shí)也具有較低的飽和電壓(圖 1)。事...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件,因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬...
2023-06-10 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1263 0
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì) MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 1995 0
三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月1日)宣布,其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF80...
LED驅(qū)動(dòng)電源IC U6113自恢復(fù)模式抗干擾
LED照明不僅被現(xiàn)代工業(yè)大量運(yùn)用,而且在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)上,已經(jīng)開始使用紅色和藍(lán)色LED燈的組合為植物生長(zhǎng)提供最佳的光子
功率場(chǎng)效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。
2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管可控硅 4146 0
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比V...
電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOS...
為什么叫圖騰柱?圖騰柱驅(qū)動(dòng)的作用與原理?
由于此結(jié)構(gòu)畫出的電路圖有點(diǎn)兒像印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。輸出極采用一個(gè)上電阻接一個(gè)NPN型晶體管的集電極,這個(gè)管子的發(fā)射極...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源邏輯電路 1.6萬 0
用于車載充電器應(yīng)用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已...
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS高速開關(guān) 1667 0
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