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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOS...
由于此結(jié)構(gòu)畫出的電路圖有點兒像印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。輸出極采用一個上電阻接一個NPN型晶體管的集電極,這個管子的發(fā)射極...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源邏輯電路 1.6萬 0
用于車載充電器應(yīng)用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已...
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS高速開關(guān) 1667 0
CMSH10H12G 100V N-Channel SGT MOSFET:功能強大的應(yīng)用解決方案
摘要:CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術(shù),具有出色的Qg*Ro...
滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
ZETA升降壓DC-DC的工作路徑和關(guān)鍵公式推導(dǎo)
引言:與一個反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相類似,一個ZETA轉(zhuǎn)換器具有一個單個MOSFET (S1) 和一個單個二極管D1 (S2),ZETA轉(zhuǎn)換器中的MO...
2023-06-08 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 4487 0
5S2P AR111燈LED驅(qū)動器的參考設(shè)計
本參考設(shè)計以MAX16819為主控制器,為5S2P AR111 LED燈提供buck-boost驅(qū)動方案。 圖1為電路原理圖,圖2給出了設(shè)計布局圖。
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...
絕緣柵場效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識
場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-06-08 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1099 0
BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動電路 1123 0
如何用單PMOS設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)?
在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開,由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。
如何用雙MOS設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)?
基于單個MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個方向的電流,由于MOSFET有一個固有的體二極管,如果存在反向電流,它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET連接器負(fù)載開關(guān) 8115 0
SEPIC升降壓DC-DC的工作路徑和關(guān)鍵公式推導(dǎo)
引言:與一個反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相類似,一個SEPIC轉(zhuǎn)換器具有一個單個MOSFET (S1) 和一個單個二極管D1 (S2),SEPIC轉(zhuǎn)換器中的MO...
2023-06-07 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 1.1萬 0
如何用單NMOS設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)?
需要通過負(fù)載開關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個原因,一個非常簡單和常見的原因是,它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)GPIO 2270 0
在選擇 LDO 時,重要的是要知道如何區(qū)分各種LDO。器件的靜態(tài)電流、封裝大小和型號是重要的器件參數(shù)。根據(jù)具體應(yīng)用來確定各種參數(shù),將會得到最優(yōu)的設(shè)計。
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
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