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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動力和系統(tǒng)架構(gòu)分析
800V高壓系統(tǒng)的稱呼源自于整車電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V,取中間值400V,籠統(tǒng)稱之為400V系統(tǒng);而伴...
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...
一文搞定開關(guān)電源紋波的產(chǎn)生、測量及抑制
開關(guān)電源紋波不可避免,我們最終的目的是要把輸出紋波降低到可以忍受的程度,達(dá)到這個目的最根本的解決方法就是要盡量避免紋波的產(chǎn)生,首先要清楚開關(guān)電源紋波的種...
2023-05-30 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2759 0
MOS管驅(qū)動電路原理與電路布線設(shè)計(jì)
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在,這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。
如圖,電流分?jǐn)U散電流和漂移電流,工作時的mosfet電流很大,主要是漂移電流,因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。
2023-05-30 標(biāo)簽:電容器MOSFET場效應(yīng)管 1.1萬 0
用光敏電阻及P-MOSFET設(shè)計(jì)的光控開關(guān)電路
用光敏電阻制作一個小裝置,該裝置在強(qiáng)光下無電流輸出,在弱光下有電流輸出。其實(shí)就是一個簡單的光控開關(guān)電路,結(jié)構(gòu)比較簡單,操作很方便。 以下是一款...
2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET光控開關(guān)光敏電阻 7954 1
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護(hù)—軟關(guān)斷
想象一個場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說,在一定的短路耐受時間(short circuit withstand time SCWT)
Q關(guān)斷,集電極電壓開始上升到2Vdc,電容C限制集電極電壓的上升速度,并減小上升電壓和下降電流的重疊,減低開關(guān)管Q的損耗。
2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源變換器 1758 0
一直以來,探測高壓電路都面臨著獨(dú)特的挑戰(zhàn)。高壓浮地測量非常危險且難以進(jìn)行,傳統(tǒng)的無源探頭是不合適的,隔離探頭和高壓差分探頭是可用的選擇。而在這一類別探頭...
介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時也稱為總柵極電荷??倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...
將兩個相同的電源并聯(lián)是建立一個冗余系統(tǒng)的簡單方法,但兩個電源并聯(lián)時,輸出電壓高的電源會向輸出電壓低的電源充電,形成環(huán)流,輸出電壓低的電源會發(fā)生過熱甚至燒...
U7712同步整流芯片典型輸出5v3A,是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
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