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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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U7712同步整流芯片典型輸出5v3A,是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過(guò)最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言,有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路,以合成一個(gè)正向壓降低于傳統(tǒng)PN結(jié)二極...
2023-05-29 標(biāo)簽:MOSFET整流器運(yùn)算放大器 1920 0
消除Buck電源轉(zhuǎn)換器中的EMI問(wèn)題
輻射這東西,看不見(jiàn)摸不著,整改還按小時(shí)算,一不小心幾萬(wàn)塊就沒(méi)了。不得不說(shuō),EMC整改,真難。本文主要分享理論+實(shí)際案例,文章篇幅較長(zhǎng),建議先收藏再閱讀。
2023-05-29 標(biāo)簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 2992 0
12v1A電源芯片U6210推動(dòng)創(chuàng)新精簡(jiǎn)設(shè)計(jì)
12v1A電源芯片U6210是一款高性能原邊控制器,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用中。
MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,要想學(xué)好MOS管,首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來(lái)學(xué)。我們說(shuō),三極管有N管和P管,同樣的,MOS管也有N型和P型。
MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電流 2386 0
新能源汽車?yán)锩娴呐潆娤到y(tǒng)和E-Fuse
傳統(tǒng)車的配電系統(tǒng),ECU主要通過(guò)保險(xiǎn)絲和繼電器完成車載電器的電源控制,包括鑰匙開(kāi)關(guān)繼電器、燈光繼電器、喇叭繼電器等,還有一些常供電的負(fù)載直接通過(guò)保險(xiǎn)絲接...
優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)的方法
在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源SiC 980 0
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)
說(shuō)說(shuō)IGBT的開(kāi)通過(guò)程
一開(kāi)始我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí),對(duì)于其深入的程度可能不一樣,但是作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件,開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程
從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行分析
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)
在這篇文章中,我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為...
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