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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)
在這篇文章中,我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為...
碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管,這意味著它通過使用電場(chǎng)來控制電流。MOSFET 通常有三個(gè)端子:柵極、漏極和源極。漏極和...
與硅相比,寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),如 Wolfspeed 的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可為電源設(shè)計(jì)人員帶來諸多優(yōu)勢(shì)。更低的傳導(dǎo)...
碳化硅(SiC)已經(jīng)成為一個(gè)明確的選擇,因?yàn)樗呀?jīng)成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢(shì),特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理...
碳化硅推動(dòng)電動(dòng)汽車快速充電器的成本和性能優(yōu)勢(shì)
使用MOSFET和IGBT的AC/DC轉(zhuǎn)換器有幾種常見的硅(Si)實(shí)現(xiàn)。硅MOSFET的問題在于,阻斷電壓不可能超過650 V,同時(shí)保持芯片尺寸小并獲得...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器MOSFET 1894 0
使用Wolfspeed碳化硅MOSFET對(duì)常見拓?fù)溥M(jìn)行建模
現(xiàn)在,工程師比以往任何時(shí)候都更多地選擇基于碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)品,因?yàn)樗鼈儽然诠?(Si) 的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統(tǒng)成本效益...
RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開關(guān)體積小,...
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式,其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度,q是電子電荷,ND是漂移區(qū)的摻雜濃度,μn是電子遷移率,εn是半導(dǎo)體介電常數(shù),...
柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
碳化硅(SiC)技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。
由于存在物理學(xué)定律,電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對(duì)此無能為力,所以自熱離子真空管問世以來,電子設(shè)計(jì)人員就學(xué)會(huì)了通過開發(fā)巧妙的電路拓?fù)鋪斫鉀Q這些問題。
2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器FET 1353 0
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOSFET就...
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用有哪些
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFET晶體管驅(qū)動(dòng)電路 1056 0
使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)
了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件...
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