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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計印刷電路板 (PCB) 布局時,柵極驅(qū)動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動,更需認(rèn)真關(guān)...
功率密度和靈活性便是 Wolfspeed 和 Astrodyne TDI(ATDI)合作的原因,雙方一同挖掘 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢,以滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造/...
2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1010 0
通過利用單一外形尺寸和電源拓?fù)洌珹TDI的電源簡化了將電源集成到過程和測試設(shè)備中的客戶的設(shè)計和認(rèn)證過程。這也減輕了晶圓廠/裝配終端客戶的負(fù)擔(dān),因為即使他...
先進碳化硅技術(shù),助力簡化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計
通過利用單一封裝形式和功率拓?fù)?,ATDI 的電源簡化了其客戶的設(shè)計和鑒定過程,從而更輕松地將電源集成到工藝和測試設(shè)備。這還減少了制造/組裝終端客戶的負(fù)擔(dān)...
根據(jù)中國電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進聯(lián)盟的數(shù)據(jù),截至到2022年6月,國內(nèi)換電站數(shù)量已達1,582個。能夠看出,目前新能源汽車換電產(chǎn)業(yè)正在高速地發(fā)展,除了北...
推薦一款品質(zhì)優(yōu)良的副邊15W開關(guān)電源芯片SF1538
開關(guān)電源雖然具有很高的效率,但開關(guān)電源芯片的熱阻和散熱能力有一定的局限性,所以一定要計算系統(tǒng)所需的電壓和電流,從而計算出系統(tǒng)的功耗
Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境...
800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益
汽車電動化趨勢正在不斷加快。過去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨秀,延續(xù)這幾年的強勁增長勢頭,2021年實現(xiàn)銷量...
SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,G...
SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)...
電機驅(qū)動電源芯片U6206DC帶來更強驅(qū)動力
電機自問世以來不斷在造福人類,電機技術(shù)也不斷與時俱進。未來電機驅(qū)動控制器在智能制造和創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展方向主要在高集成度、高可靠性、低碳化幾個方面。
數(shù)明半導(dǎo)體新推雙通道30V, 5A/5A的高速低邊門極驅(qū)動器
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅(qū)動器 SiLM27624 系列,支持高達 30V 的輸入電源供電,滿足更高...
下面介紹了如何在48V MHEV中使用標(biāo)準(zhǔn)硅降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET電路。這個48V的電池系統(tǒng)能夠承受高輸入電壓的負(fù)載突降瞬變,同時以低電磁干擾 (EMI...
2023-05-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETemi 852 0
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 標(biāo)簽:放大器MOSFET場效應(yīng)管 2988 0
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