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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Power Master 半導(dǎo)體推出第二代 1200V eSiC MOSFET
PowerMasterSemiconductor推出了第二代1200VeSiCMOSFET,以滿足直流電動(dòng)汽車充電站、太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、...
理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS,必須利用外部的條件和電路特性,實(shí)現(xiàn)其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管,由于其寄生的二極管或...
2012-04-12 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)損耗 6.3萬(wàn) 1
MOSFET的簡(jiǎn)述及工作原理及應(yīng)用領(lǐng)域解析
MOSFET是具有源極(Source),柵極(Gate),漏極(Drain)和主體(Body)端子的四端子設(shè)備。通常,MOSFET的主體與源極端子連接,...
2021-04-27 標(biāo)簽:集成電路開(kāi)關(guān)MOSFET 4.5萬(wàn) 0
詳細(xì)解析MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transisto...
2018-04-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 4.3萬(wàn) 0
MOSFET開(kāi)關(guān)中電壓尖峰的形成原因、后果及解決方案
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱功率MOSFE...
近年來(lái),SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能,這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè),到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億...
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transist...
2012-04-10 標(biāo)簽:MOSFET 3.3萬(wàn) 0
SiC材料的能帶和高溫穩(wěn)定性使得它在高溫半導(dǎo)體元件方面有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。採(cǎi)用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度...
SGT MOSFE是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有傳統(tǒng)深溝槽MOSFE的低導(dǎo)通損耗的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)具有更加低的開(kāi)關(guān)損耗。SGT MOSFE作為開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用于...
MOS管即MOSFET,又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,是場(chǎng)效應(yīng)管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
功率半導(dǎo)體元件的主要用途是什么?功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析
功率半導(dǎo)體元件或簡(jiǎn)稱功率元件,是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心;主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等,并同時(shí)可具有節(jié)能的功效,因此功率...
2018-07-17 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.9萬(wàn) 1
三款各具特色的國(guó)產(chǎn)無(wú)線充電芯片解析
2017年9月蘋(píng)果發(fā)布會(huì)上提出The future is wireless,然后推出了AirPower,無(wú)線充電爆發(fā)式發(fā)展的序幕從此拉開(kāi)。來(lái)自市場(chǎng)研究機(jī)...
次級(jí)側(cè)同步整流:同步整流也被稱為“有源”整流,它采用MOSFET替代二極管。同步整流用于提升整流效率。通常,二極管的壓降會(huì)在0.7V至1.5V之間變化,...
2012-04-03 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET晶閘管 2.7萬(wàn) 0
電子發(fā)燒友報(bào)道(文/黃山明)近段時(shí)間,由于缺少芯片,不少汽車大廠宣布,將減少或停止工廠生產(chǎn),如美國(guó)福特汽車便宣布從1月18日至2月19日關(guān)閉騎在德國(guó)薩爾...
N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性曲線
N溝道耗盡型MOSFET 1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu) N
2009-09-16 標(biāo)簽:MOSFET 2.5萬(wàn) 0
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)常用公式
MOSFET開(kāi)關(guān)管工作的最大占空比Dmax: 式中:Vor為副邊折射到原邊的反射電壓,當(dāng)輸入為AC 220V時(shí)反射電壓為135V; VminDC為整流后...
2012-08-02 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2.4萬(wàn) 2
碳化硅MOSFET器件的特性優(yōu)勢(shì)與發(fā)展瓶頸!
碳化硅功率器件近年來(lái)越來(lái)越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域,受到大家的喜愛(ài),不斷地推陳出新,大量的更高電壓等級(jí)、更大電流等級(jí)的產(chǎn)品相繼推出,市場(chǎng)反應(yīng)碳化硅元器件的...
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