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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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磁性隨機存取存儲器(MRAM)作為一種新興的非易失性存儲器,具有高讀寫速度、高續(xù)航能力、長存儲時間和低功耗等特點。
各種MRAM的技術(shù)路徑,MRAM的挑戰(zhàn)和前景
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑,其中包括磁場驅(qū)動型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩(spin-transfer torque:STT)、自旋軌道扭矩(spin-orb...
磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術(shù),它依靠兩個鐵磁層的(相對)磁化狀態(tài)來存儲二進制信息。多年來,出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲...
在5nm節(jié)點上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果
IMEC進行了設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO),以確定5nm節(jié)點上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格,并得出了一個結(jié)論,高性能STT-MRAM位單元的MRAM...
IBM推出新一代FlashSystem 19TB NVMe SSD強勢登場
在IBM新一代的FlashSystem存儲設(shè)備中,將利用磁阻RAM(MRAM)來做寫緩存,而不再使用傳統(tǒng)的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、...
2018-12-02 標簽:IBMMRAMFlashSystem 4017 0
MRAM,ReRAM,Xpoint這三個技術(shù)是目前市場的焦點
ReRAM之前曾經(jīng)因為HPE的“The Machine”熱過一陣,記得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作...
關(guān)于SoC組成部分之一的嵌入式存儲器,這些技術(shù)原理您都知道嗎?
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模...
目前具有突破性的存儲技術(shù)有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點、比較和研發(fā)進展。
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