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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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關(guān)于SoC組成部分之一的嵌入式存儲(chǔ)器,這些技術(shù)原理您都知道嗎?
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模...
2017-12-26 標(biāo)簽:socfram嵌入式存儲(chǔ)器 1.2萬 0
MRAM,即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡稱,兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM,...
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲(chǔ)器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 8846 0
MRAM,ReRAM,Xpoint這三個(gè)技術(shù)是目前市場的焦點(diǎn)
ReRAM之前曾經(jīng)因?yàn)镠PE的“The Machine”熱過一陣,記得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作...
MRAM會(huì)取代DDR嗎?簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
各種MRAM的技術(shù)路徑,MRAM的挑戰(zhàn)和前景
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑,其中包括磁場驅(qū)動(dòng)型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩(spin-transfer torque:STT)、自旋軌道扭矩(spin-orb...
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展歷程簡述
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展,可以說是一段漫長而又充滿神奇色彩的歷程,承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始,它逐漸經(jīng)歷了磁存儲(chǔ)、硬盤、閃存,以及現(xiàn)在的云存...
2023-09-22 標(biāo)簽:PCM存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 4391 0
在5nm節(jié)點(diǎn)上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果
IMEC進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO),以確定5nm節(jié)點(diǎn)上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格,并得出了一個(gè)結(jié)論,高性能STT-MRAM位單元的MRAM...
IBM推出新一代FlashSystem 19TB NVMe SSD強(qiáng)勢登場
在IBM新一代的FlashSystem存儲(chǔ)設(shè)備中,將利用磁阻RAM(MRAM)來做寫緩存,而不再使用傳統(tǒng)的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、...
2018-12-02 標(biāo)簽:IBMMRAMFlashSystem 4016 0
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRA...
探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究
本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先,介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù),包括其原理、優(yōu)勢以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...
2024-05-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 3898 0
MRAM是使用單個(gè)一體化的機(jī)臺(tái)進(jìn)行物理氣相沉積(PVD),可以精確地沉積20至30個(gè)不同的金屬和絕緣層,每個(gè)金屬層和絕緣層的厚度通常在0.2至5.0nm之間。
Everspin展示了28nm單機(jī)1Gb STT-MRAM芯片
everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識(shí)產(chǎn)權(quán)...
長久以來,我們這些缺乏耐性的人,一直期待著所有消費(fèi)電子產(chǎn)品的開機(jī)時(shí)間能盡量縮短,愈快愈好。剛剛才打入消費(fèi)市場的固態(tài)硬盤(SSD),已經(jīng)能大幅縮減用戶...
磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),它依靠兩個(gè)鐵磁層的(相對)磁化狀態(tài)來存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來,出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)...
基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件存在的兩個(gè)弊端
隨著工藝減小,熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲(chǔ)壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場,面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。
2022-11-17 標(biāo)簽:MRAM 2201 0
新型存儲(chǔ)MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
全新的存儲(chǔ)器MRAM,ReRAM,PCRAM,相對于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器來說,具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢,能夠在計(jì)算系統(tǒng)層級實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的計(jì)算性能、功耗和成本。
FeRAM,全稱Ferroelectric RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),是一種基于鐵電材料特性的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。它類似于傳統(tǒng)的SDRAM(同步動(dòng)態(tài)...
與其他標(biāo)準(zhǔn)主流存儲(chǔ)器不同,Everspin的MRAM可在惡劣環(huán)境下實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)完整性和可靠性,并在斷電且無需電池的情況下即時(shí)保存事件。
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