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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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關(guān)于SoC組成部分之一的嵌入式存儲器,這些技術(shù)原理您都知道嗎?
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模...
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 9453 0
MRAM,ReRAM,Xpoint這三個技術(shù)是目前市場的焦點(diǎn)
ReRAM之前曾經(jīng)因?yàn)镠PE的“The Machine”熱過一陣,記得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作...
MRAM會取代DDR嗎?簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
各種MRAM的技術(shù)路徑,MRAM的挑戰(zhàn)和前景
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑,其中包括磁場驅(qū)動型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩(spin-transfer torque:STT)、自旋軌道扭矩(spin-orb...
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)發(fā)展歷程簡述
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的發(fā)展,可以說是一段漫長而又充滿神奇色彩的歷程,承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始,它逐漸經(jīng)歷了磁存儲、硬盤、閃存,以及現(xiàn)在的云存...
2023-09-22 標(biāo)簽:PCM存儲器數(shù)據(jù)存儲 4667 0
在5nm節(jié)點(diǎn)上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果
IMEC進(jìn)行了設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO),以確定5nm節(jié)點(diǎn)上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格,并得出了一個結(jié)論,高性能STT-MRAM位單元的MRAM...
探索存內(nèi)計算—基于 SRAM 的存內(nèi)計算與基于 MRAM 的存算一體的探究
本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先,介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計算技術(shù),包括其原理、優(yōu)勢以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...
2024-05-16 標(biāo)簽:存儲器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 4190 0
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRA...
IBM推出新一代FlashSystem 19TB NVMe SSD強(qiáng)勢登場
在IBM新一代的FlashSystem存儲設(shè)備中,將利用磁阻RAM(MRAM)來做寫緩存,而不再使用傳統(tǒng)的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、...
2018-12-02 標(biāo)簽:IBMMRAMFlashSystem 4109 0
Everspin展示了28nm單機(jī)1Gb STT-MRAM芯片
everspin在磁存儲器設(shè)計,制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)...
長久以來,我們這些缺乏耐性的人,一直期待著所有消費(fèi)電子產(chǎn)品的開機(jī)時間能盡量縮短,愈快愈好。剛剛才打入消費(fèi)市場的固態(tài)硬盤(SSD),已經(jīng)能大幅縮減用戶...
磁阻隨機(jī)存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術(shù),它依靠兩個鐵磁層的(相對)磁化狀態(tài)來存儲二進(jìn)制信息。多年來,出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲...
基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件存在的兩個弊端
隨著工藝減小,熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場,面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。
2022-11-17 標(biāo)簽:MRAM 2297 0
FeRAM,全稱Ferroelectric RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器),是一種基于鐵電材料特性的非易失性存儲器技術(shù)。它類似于傳統(tǒng)的SDRAM(同步動態(tài)...
新型存儲MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
全新的存儲器MRAM,ReRAM,PCRAM,相對于傳統(tǒng)存儲器來說,具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢,能夠在計算系統(tǒng)層級實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的計算性能、功耗和成本。
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