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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
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MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 標(biāo)簽:電容器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 2028 0
介紹一種可編程邏輯控制器專(zhuān)用MRAM—MR0A16A
與其他標(biāo)準(zhǔn)主流存儲(chǔ)器不同,Everspin的MRAM可在惡劣環(huán)境下實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)完整性和可靠性,并在斷電且無(wú)需電池的情況下即時(shí)保存事件。
MRAM特性?xún)?yōu)勢(shì)和存儲(chǔ)原理
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
FRAM中的讀取操作具有破壞性,因?yàn)樗枰袚Q極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初始讀取之后,讀取操作必須將極化恢復(fù)到其原始狀態(tài),這會(huì)增加讀取時(shí)間的周期。
從MRAM的演進(jìn)看存內(nèi)計(jì)算的發(fā)展
我國(guó)的存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)業(yè)也開(kāi)始迅猛發(fā)展,知存科技、九天睿芯、智芯科、后摩智能、蘋(píng)芯科技等國(guó)內(nèi)專(zhuān)注存內(nèi)計(jì)算賽道的新興公司紛紛獲得融資,加速在該領(lǐng)域的早期市場(chǎng)布局...
新一代存儲(chǔ)技術(shù)特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展介紹
目前具有突破性的存儲(chǔ)技術(shù)有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。
2016-04-22 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)FRAMMRAM 1750 0
STT-MRAM非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)及其應(yīng)用有哪些
反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性,但在宏觀尺度上卻沒(méi)有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒(méi)有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。
如何選擇存儲(chǔ)器類(lèi)型 存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)
閃存存算方面,目前主要路線(xiàn)是基于NOR flash(不是目前優(yōu)盤(pán)所用的閃存類(lèi)型),多數(shù)情況下存儲(chǔ)容量較小,這使得NOR flash單片算力達(dá)到1 TOP...
磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器,具有高讀寫(xiě)速度、高續(xù)航能力、長(zhǎng)存儲(chǔ)時(shí)間和低功耗等特點(diǎn)。
“與MRAM相比,ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)——工藝簡(jiǎn)單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專(zhuān)家Jongsin Yun說(shuō)西門(mén)子EDA?!癕RAM需要10層以上的...
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