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      標(biāo)簽　>　nand flash

      nand flash

      nand flash

      +關(guān)注6人關(guān)注

      Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。

      文章：219個 瀏覽：40467次 帖子：63個

      nand flash技術(shù)

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      詳解嵌入式系統(tǒng)知識和總線電路及信號驅(qū)動

      組合邏輯電路：電路在任一時刻的輸出，僅取決于該時刻的輸入信號，而與輸入信號作用前電路的狀態(tài)無關(guān)。常用的邏輯電路有譯碼器和多路選擇器等。

      2023-02-15 標(biāo)簽：CMOS邏輯電路嵌入式系統(tǒng) 630 0

      全面介紹新型存儲技術(shù)：PCM/MRAM/RRAM/ReRAM

      MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...

      2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM存儲器Nand flash 6461 0

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      2020-09-07 標(biāo)簽：控制器寄存器Nand flash 4199 0

      STM32單片機(jī)對NAND Flash的讀寫以及在ASF中的使用

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      NAND Flash的容量較大。整片F(xiàn)lash分為若干個塊（Block），每個Block分為若干個頁（Page）。在每個頁中，除了數(shù)據(jù)區(qū)域，也包含若干“...

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      數(shù)據(jù)存儲技術(shù)之nand_flash結(jié)構(gòu)和原理剖析

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      1. 引言 NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯...

      2017-12-01 標(biāo)簽：Nand flash數(shù)據(jù)存儲技術(shù) 1.4萬 0

      NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

      我們使用的智能手機(jī)除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我們下面...

      2012-09-25 標(biāo)簽：flashNAND flashNOR flash 15.9萬 5

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        光立方
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        +關(guān)注
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        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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      Marke_Chen jf_56846646 jf_16754549 jf_45705991 馳騁_298011575 jf_67111957 半畝方塘_502

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