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標(biāo)簽 > nand flash
Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。
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我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我們下面...
2012-09-25 標(biāo)簽:flashNAND flashNOR flash 15.9萬(wàn) 5
STM32單片機(jī)對(duì)NAND Flash的讀寫以及在ASF中的使用
NAND Flash的容量較大。整片F(xiàn)lash分為若干個(gè)塊(Block),每個(gè)Block分為若干個(gè)頁(yè)(Page)。在每個(gè)頁(yè)中,除了數(shù)據(jù)區(qū)域,也包含若干“...
2018-12-11 標(biāo)簽:nand flashstm32單片機(jī) 1.6萬(wàn) 0
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)之nand_flash結(jié)構(gòu)和原理剖析
1. 引言 NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯...
2017-12-01 標(biāo)簽:Nand flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù) 1.4萬(wàn) 0
如何區(qū)分各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH)
相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash ...
2020-12-17 標(biāo)簽:DRAMsramNand flash 1.2萬(wàn) 0
全面介紹新型存儲(chǔ)技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無(wú)限、寫入速度快...
2023-01-07 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器Nand flash 6461 0
半導(dǎo)體專題之NAND Flash芯片知識(shí)詳解
只讀存儲(chǔ)器(ROM)是只能讀取實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)的信息的存儲(chǔ)器。
2024-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體ROMNand flash 5622 0
wafer、die、cell是什么?它們有何關(guān)系和區(qū)別呢?
可能你偶爾會(huì)聽見硬件工程師,或者芯片設(shè)計(jì)工程師講述一些專業(yè)名詞,比如今天說(shuō)的wafer、die、cell等。
2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片設(shè)計(jì) 5436 0
Nand Flash基礎(chǔ)知識(shí)與壞塊管理機(jī)制的介紹
Flash名稱的由來(lái),F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的,與此相對(duì)應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備,是以bit位為最小讀取/寫入的單位
2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFETLinux系統(tǒng)MLC 4356 0
基于K9F2G08U0A的Nand Flash操作和電路原理
由于K9F2G08U0A的總線寬度為8位,頁(yè)大小為2048字節(jié),需要5個(gè)尋址命令,所以NCON、GPG13和GPG14應(yīng)該接高電平,GPG15應(yīng)該接低電平。
2020-09-07 標(biāo)簽:控制器寄存器Nand flash 4199 0
DRAM和NAND閃存和其它存儲(chǔ)器技術(shù)的區(qū)別
相變存儲(chǔ)器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2022-10-18 標(biāo)簽:相變存儲(chǔ)器DRAMNand flash 3718 0
NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹
非易失性存儲(chǔ)元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管EPROMNand flash 3546 1
NAND Flash上的,指的是用于向閃存單元寫入數(shù)據(jù)時(shí)使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。
2024-05-30 標(biāo)簽:電荷泵VccNand flash 3357 0
描述mcp內(nèi)核常見問(wèn)題的排查方法幫助快速排查定位問(wèn)題
任何系統(tǒng),硬件故障和軟件故障都不可避免。比如車載系統(tǒng),由于汽車行駛過(guò)程中的震動(dòng),發(fā)熱,電瓶饋電等,很容易影響電子元件的特性,這對(duì)設(shè)備是致命的影響,會(huì)直接...
2022-07-12 標(biāo)簽:存儲(chǔ)Nand flashMCP 2816 0
NVMe SSD的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)面向PCIe SSD的,使用原生PCIe通道與CPU直連可以免去SATA與SAS接口的外置控制器(PCH)與CPU通信所帶來(lái)的延時(shí)。
2022-09-09 標(biāo)簽:SSDNand flash 2447 0
nandflash和norflash的主要特點(diǎn)和區(qū)別
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Floating Gate FET)的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極(Source)、漏極(Dr...
2024-02-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管Nand flashNOR flash 2166 0
IO Pattern會(huì)對(duì)SSD的性能產(chǎn)生嚴(yán)重影響,主要表現(xiàn)在如下幾個(gè)方面
2023-12-09 標(biāo)簽:QoSSSDNand flash 1939 0
i.MXRTxxx里FLEXSPI_MCR0寄存器保留位會(huì)造成IP CMD讀寫異常?
痞子衡最近需要在恩智浦無(wú)線系列 SoC(RW612)上調(diào)試串行 NAND Flash 驅(qū)動(dòng),簡(jiǎn)單理解這顆芯片其實(shí)就是 RT600 + 多模無(wú)線 SIP ...
2024-03-11 標(biāo)簽:mcu驅(qū)動(dòng)器寄存器 1515 0
在嵌入式開發(fā)中,常常要操作寄存器,對(duì)寄存器進(jìn)行寫入,讀出等等操作。每個(gè)寄存器都有自己固有的地址,通過(guò)C語(yǔ)言訪問(wèn)這些地址就變得尤為重要。
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