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標(biāo)簽 > nand芯片
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T-BOX硬件方案解析:STM32與SD NAND芯片的高效協(xié)同
在智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)快速發(fā)展的當(dāng)下,車(chē)載T-BOX(Telematics Box)作為車(chē)輛與云端互聯(lián)的核心樞紐,其性能和可靠性直接決定了用戶(hù)體驗(yàn)的上限。米客方...
閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾曾預(yù)言,芯片上的晶體管數(shù)量每隔一到兩年就會(huì)增加一倍。由于圖案微型化技術(shù)的發(fā)展,這一預(yù)測(cè)被稱(chēng)為摩爾定律,直到最近才得以實(shí)現(xiàn)。
TTL逆變器和NAND門(mén)實(shí)驗(yàn)研究
自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門(mén)以來(lái),各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門(mén))和2輸入NAND門(mén)配置。
TBW的概念及寫(xiě)入放大系數(shù) 如何降低寫(xiě)入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響
TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫(xiě)入放大的影響,實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。
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