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標(biāo)簽 > nand閃存
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
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Sabrent發(fā)布Rocket nano 2242固態(tài)硬盤(pán):PCIe Gen4x4和M.2 2242規(guī)格?
Rocket nano 2242現(xiàn)已在Sabrent官方網(wǎng)站開(kāi)售,容量選項(xiàng)僅限于1TB版本,價(jià)格為99.99美元(按當(dāng)前匯率計(jì)算相當(dāng)于723元人民幣左右)。
2024-05-09 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器NAND閃存固態(tài)硬盤(pán) 1537 0
eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù),同目前占據(jù)市場(chǎng)主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
今日看點(diǎn)丨蘋(píng)果著手開(kāi)發(fā)M4芯片,采用臺(tái)積電2納米或3納米制程升級(jí)版;三星擬與下游廠商就NAND閃存漲價(jià)談判
1. 三星擬與下游廠商就NAND 閃存漲價(jià)談判,目標(biāo)漲價(jià)15~20% ? 近日,有報(bào)道稱三星計(jì)劃在本月至下月期間,同主要移動(dòng)端、PC 端、服務(wù)器端客戶就...
鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門(mén)的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向...
基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
目前,針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及,基于NAND閃存...
Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來(lái)五年產(chǎn)品規(guī)劃圖
嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司今日宣布其首個(gè)單層單元(SLC)系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開(kāi)始出樣。這一最新SLC N...
東芝發(fā)布全球首款QLC內(nèi)存:壽命什么的不是事 直接比肩TLC閃存
NAND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài):SLC單比特單元,性能最好,壽命最長(zhǎng),但成本也最高;MLC雙比特單元,性能、壽命、成本比較均衡,目前主要用于高端和...
希捷酷玩530R固態(tài)硬盤(pán)曝光:TLC NAND存儲(chǔ),寫(xiě)入耐久達(dá)5050TBW?
該款固態(tài)硬盤(pán)尺寸為M.2 2280,具備PCIe Gen4x4規(guī)格,順應(yīng)NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn),最高可達(dá)180萬(wàn)小時(shí)平均故障間隔時(shí)間。并有1TB、2TB及...
2024-05-11 標(biāo)簽:NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤(pán) 1336 0
Sabrent推出Rocket 4系列M.2 NVMe Gen 4 SSD
此外,Rocket 4系列在4K隨機(jī)讀寫(xiě)性能方面表現(xiàn)出眾,可以達(dá)到最大讀寫(xiě)IOPS分別為100萬(wàn)以及95萬(wàn)。該系列首發(fā)型號(hào)包括1TB和2TB兩款,后續(xù)還...
存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)
良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造...
ZYNQ - 以太網(wǎng)遠(yuǎn)程更新貼片SD卡/TF卡應(yīng)用程序
寫(xiě)在前面對(duì)于ZYNQ系列的板卡固化,可以通過(guò)JTAG接口,使用SDK固化到FLASH中,或者可將SD卡取出將SD卡中保存的固化工程進(jìn)行修改,但在很多情況...
NAND Flash封裝模組短缺 大容量消費(fèi)級(jí)SSD價(jià)格或許會(huì)大幅上漲
1月23日消息,據(jù)外媒Tom’s Hardware報(bào)導(dǎo),有市場(chǎng)人士表示,由4個(gè)或8個(gè)NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求,特別是大...
Kingston FURY叛逆者SSD 4TB深度測(cè)試
隨著閃存顆粒在整體趨勢(shì)上價(jià)格的降低,各類超高分辨率大容量視頻的流行,以及《使命召喚:現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)3》這類安裝空間需要200GB以上的3A游戲大作的出現(xiàn),消費(fèi)...
2024-01-16 標(biāo)簽:SSDNAND閃存固態(tài)硬盤(pán) 1267 0
英特爾聯(lián)合美光宣布晶圓廠擴(kuò)建完成,3D XPoint被推上產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)
英特爾(INTC. US)、美光科技(MU. US)13日宣布,IM Flash B60晶圓廠已完成擴(kuò)建工程。 新聞稿指出,規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D...
三星企業(yè)級(jí)SSD計(jì)劃漲價(jià),需求激增推動(dòng)市場(chǎng)格局
這一價(jià)格調(diào)整的背后,實(shí)際上反映出市場(chǎng)需求“遠(yuǎn)超預(yù)期”的現(xiàn)實(shí)情況。
2024-04-03 標(biāo)簽:SSDNAND閃存固態(tài)硬盤(pán) 1232 0
三星巨額投資3D NAND閃存,占據(jù)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的33%
三星的開(kāi)支計(jì)劃到底有多么兇猛?IC Insights預(yù)計(jì),三星2017年第四季度的半導(dǎo)體資本支出為86億美元,將占到整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的33%(整個(gè)行業(yè)第四...
佰維高性能CFexpress卡解決方案 挑戰(zhàn)讀寫(xiě)速度和讀寫(xiě)穩(wěn)定性
隨著專業(yè)相機(jī)和高端攝像設(shè)備的更新迭代,4K、8K等高分辨率設(shè)備的出現(xiàn)和逐步普及,用戶對(duì)于存儲(chǔ)卡的性能要求也越來(lái)越高。其中, 讀寫(xiě)速度 和讀寫(xiě) 穩(wěn)定性 成...
韓國(guó)SKMP開(kāi)發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造
據(jù)報(bào)道,韓國(guó)SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購(gòu)當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購(gòu)后成立的新子公司SK Materials Performance(S...
引言:DRAM價(jià)格已連續(xù)兩個(gè)月未出現(xiàn)大幅下跌。
三星今年或?qū)⒋罅ν七M(jìn)先進(jìn)DRAM生產(chǎn)
消息透露,自2023年末起,存儲(chǔ)芯片價(jià)格逐漸上漲;盡管整個(gè)行業(yè)陷入衰退期,受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動(dòng),先進(jìn)DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面,NAN...
2024-01-09 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)中心NAND閃存 1162 0
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