東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品

新產(chǎn)品符合最新的e.MMCTM標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品，包括智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。

2018-09-04 標(biāo)簽：東芝嵌入式nand閃存 1148 0

DRAM價(jià)格上漲因存儲(chǔ)巨頭減產(chǎn)，供需緊張料持續(xù)至年底

據(jù)報(bào)道，近期三星宣布自明年第一季度起，DRAM價(jià)格將上漲至少15%；盡管NAND閃存漲價(jià)跡象尚不明顯，但預(yù)測(cè)同樣存在跟進(jìn)上漲的可能。據(jù)IT之家引用集邦觀(guān)...

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存三星 1136 0

DRAM大廠(chǎng)第三季對(duì)DDR5再度調(diào)漲,價(jià)格將上漲15%以上

8月20日最新供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)揭示，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）行業(yè)巨頭計(jì)劃在第三季度對(duì)DDR5產(chǎn)品實(shí)施新一輪的價(jià)格上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將超過(guò)15%。此次調(diào)價(jià)背后...

2024-08-20 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 1135 0

三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)290層

據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過(guò)，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其I...

2024-04-12 標(biāo)簽：NAND閃存半導(dǎo)體行業(yè)三星 1130 0

三星電子將出售中國(guó)工廠(chǎng)舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)計(jì)劃，將其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠(chǎng)以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線(xiàn)的舊設(shè)備進(jìn)行銷(xiāo)售。這些設(shè)備原本因美國(guó)政府的壓力而積壓，現(xiàn)預(yù)計(jì)將通...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子NAND閃存 1127 0

AI PC拉動(dòng)DRAM和NAND閃存需求

近期，眾多知名品牌如三星電子、LG電子和惠普推出了搭載英特爾和 AMD 處理器的AI PC新品。這類(lèi)AI PC（使用生成式AI算法）可以獨(dú)立運(yùn)行，無(wú)需依...

2023-12-27 標(biāo)簽：處理器amdNAND閃存 1119 0

AI推動(dòng)硬盤(pán)價(jià)格上漲，固態(tài)硬盤(pán)成AI訓(xùn)練首選

近幾年來(lái)，NAND閃存價(jià)格步入下行通道，固態(tài)硬盤(pán)與機(jī)械硬盤(pán)間的成本差距逐漸收窄，這使得固態(tài)硬盤(pán)在部分應(yīng)用場(chǎng)景中逐漸取代HDD。例如，在2TB以下的消費(fèi)P...

2024-04-12 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)設(shè)備 1103 0

消息稱(chēng)西部數(shù)據(jù)已向客戶(hù)發(fā)出“漲價(jià)通知”

西部數(shù)據(jù)方面還說(shuō)：“公司目前市場(chǎng)供求調(diào)節(jié)環(huán)境適應(yīng)生產(chǎn)能力，因此，對(duì)規(guī)劃的需要和肥肉訂購(gòu)“比較難”的即時(shí)反應(yīng)，因此顧客重新檢查一遍自己的訂單情況，抓緊與公...

2023-12-07 標(biāo)簽：NAND閃存機(jī)械硬盤(pán)西部數(shù)據(jù) 1097 0

東芝首款64層3D NAND SSD——TR200上市

近日，東芝首款64層3D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤(pán)系列正式上市。TR200系列可提供給個(gè)人電腦和筆記本電腦更強(qiáng)的性能表現(xiàn)，并且滿(mǎn)足用...

2017-10-31 標(biāo)簽：東芝NAND閃存 1096 0

Q313 NAND閃存需求或低于預(yù)期

據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)，由于高端智能手機(jī)的銷(xiāo)量疲軟，導(dǎo)致第三季度對(duì)NAND閃存的需求可能會(huì)弱于預(yù)期。 7月份NAND的價(jià)格下降了5%左右，并可能在8到9月份繼續(xù)下降。

2013-07-30 標(biāo)簽：智能手機(jī)SSDNAND閃存 1094 0

三星電子計(jì)劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時(shí)代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI）浪潮帶來(lái)的存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)快速增長(zhǎng)...

2024-11-01 標(biāo)簽：DRAM三星電子NAND閃存 1083 0

DRAM漲價(jià)啟動(dòng)！Q1漲幅高達(dá)20%

有存儲(chǔ)模組廠(chǎng)收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月...

2024-01-08 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 1080 0

SanDisk與東芝將聯(lián)合開(kāi)發(fā)可重復(fù)寫(xiě)入的3D內(nèi)存

閃存芯片廠(chǎng)商SanDisk在周二提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)的一份文件中披露，它已經(jīng)與東芝展開(kāi)合作，聯(lián)合開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)可重復(fù)寫(xiě)入的3D內(nèi)存。

2013-07-22 標(biāo)簽：東芝NAND閃存Sandisk 1075 0

如何拯救你，居高不下的SSD價(jià)格，NAND閃存禍的惹！

月初，DRAMeXchange研究稱(chēng)，NAND閃存顆粒的供應(yīng)價(jià)格將持續(xù)攀升到明年Q1，由此帶動(dòng)SSD漲價(jià)。

2016-12-22 標(biāo)簽：SSDNAND閃存 1054 0

三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

今年Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。

2023-07-03 標(biāo)簽：DRAMSSDNAND閃存 1051 0

西部數(shù)據(jù)分拆存儲(chǔ)業(yè)務(wù)：閃存與傳統(tǒng)硬盤(pán)的分離

自2021年起，西部數(shù)據(jù)及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜，以便共同掌控占據(jù)全世界NAND閃存市場(chǎng)三分之一份額的市場(chǎng)份額。然而，2023年10月的合并協(xié)商...

2024-03-06 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器NAND閃存西部數(shù)據(jù) 1048 0

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

近日，業(yè)界傳出消息稱(chēng)，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷(xiāo)售該類(lèi)產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC N...

2024-11-21 標(biāo)簽：NAND閃存MLC三星 1025 0