NOR Flash制程工藝技術(shù)市場(chǎng)格局及技術(shù)演進(jìn)

華邦電子認(rèn)為，對(duì)于NOR Flash而言，45nm很可能是最后一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)了，與之相比，SLC NAND Flash還有制程微縮空間，在24nm之后，至...

2023-01-31 標(biāo)簽：NANDFlaSh晶體管 3762 0

新型存儲(chǔ)技術(shù)：未來方向研究及思考

ReRAM(Resistive RAM)通過在上下電極間施加不同的電壓，控制Cell內(nèi)部導(dǎo)電絲的形成和熔斷的狀態(tài)對(duì)外呈現(xiàn)不同的阻抗(憶阻器)值來表示數(shù)據(jù)...

2023-01-17 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)技術(shù) 1749 0

西部數(shù)據(jù)與鎧俠是“強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手”還是“抱團(tuán)取暖”

鎧俠公司總裁兼首席執(zhí)行官 Nobuo Hayasaka 表示：“Fab7 是日本最新、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工廠，對(duì)于鎧俠的未來不可或缺?！?/p>

2023-01-12 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù)鎧俠 1163 0

三星電子將12月3D NAND報(bào)價(jià)調(diào)漲10%

據(jù)臺(tái)媒電子時(shí)報(bào)報(bào)道，相關(guān)供應(yīng)鏈業(yè)內(nèi)人士透露，三星內(nèi)部消息稱，12月有部分中國(guó)客戶接受漲價(jià)。

2023-01-11 標(biāo)簽：NAND閃存芯片存儲(chǔ)芯片 380 0

西部數(shù)據(jù)和鎧俠有望“再續(xù)前緣”？

西部數(shù)據(jù)和鎧俠有望“再續(xù)前緣”。據(jù)路透、彭博報(bào)道，一位知情人士稱透露，西部數(shù)據(jù)已經(jīng)重啟與鎧俠的并購(gòu)交易談判。

2023-01-10 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè) 642 0

PCle標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)、NAND技術(shù)迭代，企業(yè)級(jí)SSD如何突破設(shè)計(jì)難點(diǎn)

電子發(fā)燒友報(bào)道（文/莫婷婷）近年來，數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算等相關(guān)技術(shù)不斷演進(jìn)，機(jī)器學(xué)習(xí)、數(shù)據(jù)分析、高性能渲染等新興應(yīng)用推動(dòng)SSD（固態(tài)硬盤）的發(fā)展。在企業(yè)級(jí)市...

2023-01-10 標(biāo)簽：NANDpcle 2824 0

西部數(shù)據(jù)與鎧俠重啟談判，或?qū)?shí)現(xiàn)兩家合并

Western Digital Corp.（西部數(shù)據(jù)）已重啟與日本Kioxia Holdings Corp.（鎧俠）的談判，該交易可能會(huì)使兩家技術(shù)存儲(chǔ)供...

2023-01-06 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器西部數(shù)據(jù) 480 0

DRAM價(jià)格沒有回升跡象，DDR5繼續(xù)下跌

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，到 2022 年為止，DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格已下跌超過 40%，而 NAND 閃存晶圓價(jià)格已跌至供應(yīng)商的現(xiàn)金成本水平以下。

2023-01-04 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 772 0

三星電子存儲(chǔ)芯片價(jià)格明年有望大幅下降

研究機(jī)構(gòu)和證券公司最新報(bào)告顯示，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)營(yíng)收在今年三季度達(dá)到 55.84 億美元，高于 NAND 閃存業(yè)務(wù) 43 億美元的銷售額。

2022-12-29 標(biāo)簽：NAND三星電子晶圓代工 320 0

憶聯(lián)數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD——UH711a正式發(fā)布！國(guó)內(nèi)首款E3.S形態(tài)同步揭曉

為更好地滿足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應(yīng)用，憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級(jí)NVMe SSD——UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長(zhǎng)江存儲(chǔ)12...

2022-12-27 標(biāo)簽：NANDSSD數(shù)據(jù)中心 1285 0

半導(dǎo)體市場(chǎng)一蹶不振，NAND Flash閃存出貨量低于預(yù)期

除PC需求疲弱外，NAND Flash價(jià)跌也是促使SSD價(jià)格續(xù)跌的原因。SSD搭載數(shù)個(gè)NAND Flash、因此價(jià)格易受NAND Flash價(jià)格影響。

2022-12-20 標(biāo)簽：NANDnandflash 730 0

全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD

美光通過多種技術(shù)來實(shí)現(xiàn)節(jié)能，包括優(yōu)化進(jìn)入和退出自啟動(dòng)節(jié)能狀態(tài)，在控制器中使用先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)，以及利用主機(jī)內(nèi)存緩沖（HMB）技術(shù)取代 DRAM。這些創(chuàng)新技...

2022-12-15 標(biāo)簽：NANDSSD美光科技 800 0

美光推出采用232層NAND技術(shù)的全球最先進(jìn)客戶端SSD

2022 年 12 月 15 日，中國(guó)上?！狹icron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布，已...

2022-12-15 標(biāo)簽：NANDSSD美光 1516 0

系統(tǒng)性良率問題取代隨機(jī)缺陷成為先進(jìn)工藝芯片制造主要問題

最近最重要的變化之一是 3D 檢測(cè)和計(jì)量學(xué)習(xí)的增加。finFET 和納米片晶體管的采用發(fā)生在前端，而高級(jí)封裝則需要在后端進(jìn)行 3D 計(jì)量。

2022-12-13 標(biāo)簽：芯片NAND晶體管 1635 0

在汽車產(chǎn)業(yè)生態(tài)重構(gòu)時(shí)期，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)將扮演更重要的角色

隨著人工智能和龐大的傳感器系統(tǒng)發(fā)展，汽車需要越來越強(qiáng)悍的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力，以滿足車內(nèi)應(yīng)用以及車聯(lián)萬物的高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。傳統(tǒng)的車載信息終端采用的存儲(chǔ)設(shè)備已經(jīng)無法...

2022-12-09 標(biāo)簽：NAND數(shù)據(jù)存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 1388 0

200層NAND芯片的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤美光2550 SSD正式出貨

美光發(fā)布的官方新聞稿，該企業(yè)宣布其已經(jīng)正式出貨了全球首款使用超過200層NAND芯片的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤美光2550 SSD，該SSD采用232層NAND技...

2022-12-08 標(biāo)簽：閃存NAND美光 1032 0

「復(fù)享光學(xué)」3D NAND多層薄膜量測(cè)的新思路

據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士...

2022-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND3D 1654 0

CXL對(duì)數(shù)據(jù)中心的意義

一刀切的模式是行不通的，這就是為什么您會(huì)看到云提供商擁有數(shù)十種甚至數(shù)百種不同的實(shí)例類型。這些正在嘗試針對(duì)不同的工作負(fù)載優(yōu)化硬件產(chǎn)品。即便如此，許多用戶最...

2022-12-05 標(biāo)簽：芯片NAND數(shù)據(jù)中心 1079 0

2023年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)下滑將比去年減少17％

由主要半導(dǎo)體廠商組成的世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）發(fā)布的報(bào)告稱，2023年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1％，降至5565億美元，此前曾預(yù)期增長(zhǎng)4....

2022-12-01 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)芯片SK海力士 729 0