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nand

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

韓國(guó)強(qiáng)化全球存儲(chǔ)芯片巨頭地位,或是忌憚中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)的崛起

韓國(guó)的SK海力士在收購(gòu)Intel的NAND flash存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)之后,將取得全球NAND flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)大約20%的市場(chǎng)份額,它與三星將合計(jì)占...

2020-10-22 標(biāo)簽:芯片NAND存儲(chǔ) 3188 0

SK海力士收購(gòu)Intel存儲(chǔ)業(yè)務(wù)有什么意義?

另一方面,對(duì)于SK海力士來(lái)說(shuō),此次收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)也有跡可循。作為全球第二大存儲(chǔ)芯片廠家,雖然其DRAM產(chǎn)品市占率僅次于三星電子,但在N...

2020-10-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NAND晶圓 6181 0

SK海力士以90億美元收購(gòu)NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存事業(yè)部

SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存事業(yè),以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓...

2020-10-21 標(biāo)簽:NANDintelSK海力士 1993 0

SK海力士宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士(SK Hynix)已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在...

2020-10-21 標(biāo)簽:英特爾NANDSK海力士 2567 0

GD5F4GM5系列現(xiàn)已量產(chǎn),容量高達(dá)4Gb

如今各類電子設(shè)備的功能日趨復(fù)雜,在一些新興的、甚至緊湊型應(yīng)用中都需要預(yù)裝嵌入式操作系統(tǒng),對(duì)存儲(chǔ)容量的需求在不斷提升。高可靠、大容量的代碼存儲(chǔ)需求成為業(yè)界...

2020-10-21 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)制程工藝 3581 0

一家聚焦NAND閃存應(yīng)用和存儲(chǔ)芯片定制、存儲(chǔ)軟件開(kāi)發(fā)的中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)

江波龍有兩個(gè)品牌,一個(gè)是Lexar雷克沙,一個(gè)是FORESEE。Lexar雷克沙是面向面向消費(fèi)類、面向個(gè)人的品牌,比如影像卡、U盤、MicroSD卡,還...

2020-10-21 標(biāo)簽:NAND軟件開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)芯片 2299 0

SK海力士收購(gòu)Intel存儲(chǔ)業(yè)務(wù),標(biāo)志著韓企在NAND閃存領(lǐng)域的強(qiáng)勢(shì)地位

作價(jià) 90 億美元,Intel 又賣出了旗下的一個(gè)重要業(yè)務(wù)。這個(gè)業(yè)務(wù),就是 NAND 閃存。這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購(gòu) ARM 之...

2020-10-21 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)SK海力士 2103 0

固態(tài)硬盤存儲(chǔ)器可能將迎來(lái)價(jià)格新低

盡管智能手機(jī)廠商在主動(dòng)囤積存儲(chǔ)器以搶占更多市場(chǎng)份額,但TrendForce對(duì)今年的行業(yè)預(yù)測(cè)仍不樂(lè)觀。在持續(xù)供過(guò)于求的情況下,固態(tài)硬盤(SSD)存儲(chǔ)器甚至...

2020-10-20 標(biāo)簽:NANDSSD固態(tài)硬盤 1887 0

英特爾正準(zhǔn)備將NAND芯片業(yè)務(wù)出售給SK海力士

據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日?qǐng)?bào)道援引知情人士稱,英特爾正準(zhǔn)備將NAND芯片業(yè)務(wù),以近100億美元的價(jià)格,出售給SK海力士。若交易達(dá)成,將使得SK海力士超越日本...

2020-10-20 標(biāo)簽:英特爾NANDSK海力士 2140 0

SK海力士將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存業(yè)務(wù)

TrendForce數(shù)據(jù)顯示,SK海力士與Intel在今年第二季的營(yíng)收市占率為11.7%及11.5%,分別位于第四名及第六名。若以產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力詳細(xì)區(qū)分,以...

2020-10-20 標(biāo)簽:NAND三星電子3D 2329 0

SK海力士收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù) 市場(chǎng)份額將直逼三星

英特爾同意以大約90億美元將其Nand存儲(chǔ)業(yè)務(wù)出售給韓國(guó)的SK海力士,以專注于其主要業(yè)務(wù)。

2020-10-20 標(biāo)簽:NANDSK海力士 3070 0

太強(qiáng)了!國(guó)際大廠3D NAND明年將達(dá)176層,國(guó)產(chǎn)QLC躋身第一梯隊(duì)!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)在半導(dǎo)體行業(yè)的存儲(chǔ)芯片細(xì)分領(lǐng)域,最常被提到的是NAND Flash、NOR Flash、DRAM,其中NAND Flash...

2020-10-20 標(biāo)簽:NAND美光鎧俠 5280 1

TrendForce分析師預(yù)測(cè):今年第四季度硬件價(jià)格將出現(xiàn)下降

隨著全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)繼續(xù)處于供過(guò)于求的狀態(tài),局勢(shì)逐漸開(kāi)始趨于穩(wěn)定。這種趨勢(shì)要到今年年底才能改變。TrendForce分析師預(yù)測(cè),今年第四季...

2020-10-19 標(biāo)簽:閃存NAND硬件 1752 0

兆易創(chuàng)新推出全國(guó)產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash

兆易創(chuàng)新今日正式推出全國(guó)產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4Gb SPI NANDFlash產(chǎn)品GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測(cè)試...

2020-10-15 標(biāo)簽:Nand兆易創(chuàng)新 8050 0

NAND Flash價(jià)格在第一季止跌回穩(wěn) 下半年旺季缺貨機(jī)率或升高

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然而在筆電及平板、伺服器、5G手機(jī)的出貨拉動(dòng)下,固態(tài)硬碟(SSD)需求強(qiáng)勁價(jià)格看漲,法人看好威剛(3260)、十銓(4967)、群聯(lián)(8299)、宜鼎(...

2021-02-01 標(biāo)簽:NAND伺服器Nand flash 1426 0

三星與SK海力士同步看好DRAM后市 預(yù)測(cè)后期不排除出現(xiàn)短缺

韓國(guó)記憶體兩大廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)同步看好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)后市,激勵(lì)DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電...

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敏博推出斷電保護(hù)(Power Plus)TLC固態(tài)硬盤-RT31系列

SSD存儲(chǔ)裝置配備DRAM緩存芯片在于更優(yōu)異的隨機(jī)寫入效能,DRAM緩存芯片擁有快取與緩沖功能。

2021-01-30 標(biāo)簽:NAND電源管理無(wú)人駕駛 1200 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布容量1920GB的SSD,終闖進(jìn)企業(yè)級(jí)市場(chǎng)

這兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND閃存突飛猛進(jìn),產(chǎn)品商用也越來(lái)越廣泛,除了消費(fèi)級(jí)的第三方品牌、自家品牌致鈦,還終于進(jìn)入了高標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)要求的企業(yè)級(jí)市場(chǎng)。d

2020-09-26 標(biāo)簽:閃存NANDSSD 2538 0

NAND閃存技術(shù)及NAND閃存控制器的作用解析

特斯拉電動(dòng)汽車對(duì)于任何存儲(chǔ)應(yīng)用都是一個(gè)充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境,這不僅是因?yàn)槠囐|(zhì)量對(duì)溫度和功能安全性的要求,而且因?yàn)槊枯v汽車的使用方式都不同。

2021-01-13 標(biāo)簽:NAND特斯拉閃存控制器 3301 0

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存集成PUC技術(shù)研發(fā)

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與浮柵將電荷存儲(chǔ)在導(dǎo)體中不同,CTF將電荷存儲(chǔ)在絕緣體中,消除了電池之間的干擾,提高了讀寫性能,同時(shí)與浮柵技術(shù)相比,減少了單位電池面積。

2021-01-06 標(biāo)簽:NAND三星電子SK海力士 2526 0

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