一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SK海力士收購Intel存儲業(yè)務,標志著韓企在NAND閃存領域的強勢地位

如意 ? 來源:雷鋒網(wǎng) ? 作者:李帥飛 ? 2020-10-21 09:37 ? 次閱讀

作價 90 億美元,Intel 又賣出了旗下的一個重要業(yè)務。

這個業(yè)務,就是 NAND 閃存。

這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購 ARM 之后,全球半導體領域的又一筆重大交易。

這筆交易中的買家,是韓國企業(yè) SK 海力士,而 SK 海力士本身也是 NAND 閃存領域的一個重要玩家——這意味著,在 NAND 閃存領域,韓國企業(yè)越來越強勢了。

那么,對中國半導體行業(yè)來說,這筆交易會產(chǎn)生什么影響?

這筆交易涉及到 Intel 中國大連工廠

北京時間 10 月 20 日, SK 海力士和 Intel 共同宣布了上述簽署協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議約定,SK 海力士將以 90 億美元的價格,收購 Intel 的 NAND 閃存及存儲業(yè)務。本次收購包括 Intel NAND SSD 業(yè)務、NAND 部件及晶圓業(yè)務——以及 Intel 在中國大連的 NAND 閃存制造工廠。

Intel 中國大連工廠由 Intel 在 2007 年 9 月投資建造,并在 2010 年正式投產(chǎn),是 Intel 在亞洲的唯一的晶圓制造工廠。

2015 年,Intel 宣布投資 55 億美元將這個工廠升級為非易失性存儲技術制造基地,并于 2016 年 7 月正式投產(chǎn)。2017 年 5 月,Intel 還專門在其大連工廠發(fā)布了采用 3D NAND 技術的全新數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤——2018 年 9 月,Intel 當時最先進的 96 層 3D NAND 產(chǎn)品也在大連投產(chǎn)。

如今,伴隨著這筆收購,Intel 在中國唯一的晶圓制造工廠也拱手讓給 SK 海力士。

值得一提的是,盡管出售 NAND 閃存業(yè)務,Intel 還將保留其特有的傲騰(Optane)業(yè)務。

根據(jù)雙方協(xié)議,SK 海力士與 Intel 將爭取在 2021 年底前取得所需的政府機關許可——包括來自美國、歐盟、中國、韓國等監(jiān)管機構的許可。

協(xié)議表示,在獲取相關許可后,SK 海力士將通過支付第一期 70 億美元對價從 Intel 收購 NAND SSD 業(yè)務(包括 NAND SSD 相關知識產(chǎn)權和員工)以及位于中國大連的工廠。

此后,預計在 2025 年 3 月份最終交割時,SK 海力士將支付 20 億美元余款從 Intel 收購其余相關資產(chǎn),包括 NAND 閃存晶圓的生產(chǎn)及設計相關的知識產(chǎn)權、研發(fā)人員以及中國大連工廠的員工。

同時,根據(jù)協(xié)議,在交割過程中,Intel 將繼續(xù)在大連閃存制造工廠制造 NAND 晶圓,并保留制造和設計 NAND 閃存晶圓相關的知識產(chǎn)權 (IP),直至最終交割日。

按照雙方說法,通過這次收購,SK 海力士旨在急速成長的 NAND 閃存領域中提升包括企業(yè)級 SSD 在內(nèi)的存儲解決方案相關競爭力,進一步躍升為行業(yè)領先的全球半導體企業(yè)之一。

Intel 為什么要賣?

Intel 出售其 NAND 閃存業(yè)務,并不令人感到意外。

自從 2019 年 2 月正式擔任 Intel CEO 以來,Bob Swan 就致力于推動 Intel 的業(yè)務調(diào)整和財務狀況好轉(zhuǎn)——值得一提的是,Bob Swan 此前擔任 Intel CFO,所以更善于從財務角度看待問題。

實際上,Bob Swan 執(zhí)掌 Intel 兩年多來(包括擔任臨時 Intel CEO 的時間),他已經(jīng)在 Intel 調(diào)制解調(diào)器業(yè)務上展現(xiàn)了自己的執(zhí)掌思路。

據(jù) FastCompany 報道,2018 年底,在出售調(diào)制解調(diào)器業(yè)務之前,他曾非常質(zhì)疑為什么 Intel 不轉(zhuǎn)移注意力到其他更能賺錢的業(yè)務。隨后在 2019 年 4 月,蘋果宣布與高通達成和解之后,Intel 當天就立即宣布退出 5G 調(diào)制解調(diào)器業(yè)務。

隨后在 2019 年 7 月,Intel 以 10 億美元的價格,將調(diào)制解調(diào)器業(yè)務的大部分出售給了蘋果。

顯然,2020 年,NAND 閃存業(yè)務成為了 Bob Swan 的 “刀下之魂”。

截止今年 6 月 27 日,Intel 的 NAND 業(yè)務在今年上半年為 Intel 非易失性存儲器解決方案事業(yè)部(Non-volatile Memory Solutions Group, NSG)創(chuàng)下了約 28 億美元的營收,以及約 6 億美元的營業(yè)利潤。

當然,作為世界半導體行業(yè)的領先者,Intel 也擁有業(yè)界領先的 NAND SSD 技術以及 4 階儲存單元(quadruple level cell,QLC)NAND 閃存產(chǎn)品線。

對于這次出售,Intel CEO Bob Swan 表示:

這次交易能讓我們更加專注于投資具有差異化特點的技術,從而令我們在客戶的成功中扮演更重要的角色,并且為我們的投資者產(chǎn)出可觀的回報。

Intel 方面還表示,在出售業(yè)務之后,它計劃將本次交易獲得的資金用于開發(fā)業(yè)界領先的產(chǎn)品和加強其具有長期成長潛力的業(yè)務重點,包括人工智能AI)、5G 網(wǎng)絡與智能、自動駕駛相關邊緣設備。

NAND 閃存領域生變:韓國占大頭,中國正趕上

Intel 和 SK 海力士的這筆交易,將對全球 NAND 領域產(chǎn)生重大影響。

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢旗下半導體研究處發(fā)布的數(shù)據(jù),2020 年第二季度,在全球 NAND Flash 產(chǎn)業(yè):

排名第一的三星營收占比為 31.4%;

第二名 Kioxia 營收占比為 17.2%;

第三名西部數(shù)據(jù)營收占比為 15.5%;

第四名 SK 海力士營收占比為 11.7%;

第五名鎂光營收占比為 11.5%;

第六名 Intel 營收占比為 11.5%。

SK海力士收購Intel存儲業(yè)務,標志著韓企在NAND閃存領域的強勢地位

依照上述數(shù)據(jù),如果 SK 海力士成功收購 Intel NAND 閃存業(yè)務,則它將擁有超過該領域 23% 的全球市場份額,一舉成為這一領域的全球第二。

——如此一來,SK 海力士和三星加起來,韓國企業(yè)將占據(jù)全球 NAND 領域營收的半壁江山,份額超過 50%。

那么,中國 NAND 領域發(fā)展如何呢?

目前來看,在 NAND 領域,中國的廠商還處于追趕階段,營收排名還比較靠后,位于 Others 之列。

不過,在國產(chǎn)存儲企業(yè)中,位于武漢的長江存儲正在快速跟進,并且已取得重大成功——可以說是國產(chǎn) NAND 閃存一哥。

2020 年 4 月,長江存儲宣布 128 層 QLC 3D NAND 閃存(X2-6070)研發(fā)成功,這是我國首款 128 層 3D NAND 閃存芯片,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度(QLC,4 bit/cell),最高 I/O 傳輸速度(1.6G/s)和最高單顆 NAND 閃存容量(1.33Tb)。

按照長江存儲高級副總裁龔翊的說法,此次產(chǎn)品發(fā)布,意味著長江存儲在 3D NAND 閃存領域已經(jīng)基本追平國際先進水平,在某些領域甚至有所領先。

值得一提的是,這次發(fā)布的產(chǎn)品即將走向量產(chǎn),預計在 2021 年上市。

除了技術上的追趕,長江存儲也在不斷跟進生產(chǎn)進度;今年目標是成都長投產(chǎn),并逐步完成武漢廠區(qū)剩余二座廠房的興建與擴產(chǎn)。由此,調(diào)研機構集邦咨詢預計,2021 年長江存儲產(chǎn)能預估占整體 NAND Flash 約 8%。

8% 的份額,雖然看起來不大,但也許是國產(chǎn) NAND 閃存的出頭機會。

當然,要想與韓國、美國等競爭對手抗衡甚至實現(xiàn)超越,以長江存儲為代表的中國企業(yè),還要有很長的路要走。

但眼下,這條逆襲的道路,已經(jīng)看到曙光。
責編AJX

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • NAND
    +關注

    關注

    16

    文章

    1714

    瀏覽量

    137639
  • 存儲
    +關注

    關注

    13

    文章

    4473

    瀏覽量

    86939
  • SK海力士
    +關注

    關注

    0

    文章

    985

    瀏覽量

    39201
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務部門的第二(最終)階段交易

    3 月 28 日消息,根據(jù) SK 海力士向韓國金融監(jiān)管機構 FSS 披露的文件,該企業(yè)已在當?shù)貢r間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 S
    的頭像 發(fā)表于 03-28 19:27 ?707次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>已完成<b class='flag-5'>收購</b>英特爾<b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>業(yè)務</b>部門的第二(最終)階段交易

    SK海力士將關閉CIS圖像傳感器部門 轉(zhuǎn)向AI存儲領域

    3 月 6 日消息,綜合聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家媒報道,SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門, 該團隊的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI
    的頭像 發(fā)表于 03-06 18:26 ?577次閱讀

    SK海力士計劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應對市場下滑

    產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計劃將上半年
    的頭像 發(fā)表于 01-20 14:43 ?523次閱讀

    SK海力士考慮提供2.5D后端工藝服務

    與測試)市場,這將標志著AI芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的布局進一步向下延伸。此舉不僅有助于SK海力士擴大整體利潤規(guī)模,更能在一定程度上緩解下游外部先進封裝廠產(chǎn)能瓶頸對其HBM(高帶寬
    的頭像 發(fā)表于 12-25 14:24 ?448次閱讀

    SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

    近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:35 ?728次閱讀

    SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM

    SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力
    的頭像 發(fā)表于 08-29 16:39 ?846次閱讀

    SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存

    最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領存儲技術的
    的頭像 發(fā)表于 08-10 16:52 ?2377次閱讀

    SK海力士FMS 2024峰會揭秘:UFS 4.1存儲新品引領未來性能飛躍

    近日舉行的FMS 2024峰會上,SK海力士震撼發(fā)布了其存儲技術的最新成果,其中最為引人注目的便是尚未正式公布標準的UFS 4.1通用閃存
    的頭像 發(fā)表于 08-09 16:24 ?2432次閱讀

    SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即

    韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據(jù)媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊
    的頭像 發(fā)表于 08-02 16:56 ?1309次閱讀

    SK海力士考慮讓Solidigm美上市融資

    據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm美國進行首次公開募股(IPO)。Soli
    的頭像 發(fā)表于 07-30 17:35 ?1298次閱讀

    SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

    半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:47 ?833次閱讀

    SK海力士開發(fā)出用于端側(cè)AI PC的高性能固態(tài)硬盤PCB01

    (SSD)——PCB01。這款產(chǎn)品的推出,不僅標志著SK海力士NAND閃存解決方案
    的頭像 發(fā)表于 07-01 14:58 ?763次閱讀

    SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案

    智能手機技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,成功推出新一代移動端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側(cè)AI手機
    的頭像 發(fā)表于 05-11 10:14 ?667次閱讀

    SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

    今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款
    的頭像 發(fā)表于 05-09 11:00 ?798次閱讀

    SK海力士發(fā)布NAND閃存解決方案,助力端側(cè)AI手機發(fā)展

    SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移動端NAND閃存解決方案,具備行業(yè)內(nèi)最高性能且專門針對端側(cè)AI手機進行優(yōu)化?!贝送?,公司還強調(diào),“借助此產(chǎn)品,我們將在
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:30 ?651次閱讀