由于市場(chǎng)持續(xù)供過(guò)于求，DRAM與NAND Flash第四季價(jià)格開(kāi)始走跌

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，雖然下半年是產(chǎn)業(yè)旺季，但市場(chǎng)持續(xù)供過(guò)于求，DRAM第三季合約價(jià)格季漲幅縮小到僅1~2%，...

2018-10-11 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 1055 0

DRAM和NAND Flash價(jià)格呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢(shì)，內(nèi)存和SSD產(chǎn)品有望迎來(lái)降價(jià)浪潮

據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報(bào)告顯示，本應(yīng)該是購(gòu)物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購(gòu)價(jià)均呈現(xiàn)...

2018-10-11 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 986 0

三星采取保守策略，DRAM投資大減，NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支...

2018-10-10 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 3664 1

東芝TR200SSD240G性能測(cè)試 東芝的64層3DNANDSSD有多厲害

傳說(shuō)中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款6...

2018-10-09 標(biāo)簽：東芝NANDSSD 1.1萬(wàn) 0

價(jià)格周期性漲跌，NAND Flash產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生新變化

目前，NAND Flash的價(jià)格下行趨勢(shì)已經(jīng)確立。根據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket近日發(fā)布的數(shù)據(jù)，截止至2018年8月27日，NAND ...

2018-10-09 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ) 1518 0

東芝推出基于單層存儲(chǔ)單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為...

2018-10-08 標(biāo)簽：東芝閃存NAND 2287 0

英特爾96層3D NAND二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行

9月21日，英特爾大連非易失性存儲(chǔ)二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行。省委副書(shū)記、省長(zhǎng)唐一軍出席啟動(dòng)儀式。

2018-09-30 標(biāo)簽：英特爾NAND 4089 0

3D NAND芯片市場(chǎng)發(fā)展空間巨大，三星電子很難單獨(dú)吞下這一片市場(chǎng)

8月28日，三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求。”可是，三...

2018-10-01 標(biāo)簽：NAND三星電子 3211 0

DRAM、NAND flash和NOR flash三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng)

你如果問(wèn)當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng)，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過(guò)...

2018-09-29 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 5803 0

英特爾70%的3D NAND快閃存儲(chǔ)器來(lái)自大連晶圓廠

英特爾2006年與大連市政府達(dá)成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負(fù)責(zé)處理器封裝測(cè)試，2010年大連晶圓廠正式落成。

2018-09-29 標(biāo)簽：英特爾NAND 4190 0

NAND的生產(chǎn)工藝提升或?qū)⑼苿?dòng)智能手機(jī)很快進(jìn)入TB時(shí)代

2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1500億美金，其中NAND Flash將超過(guò)570億美金，而中國(guó)消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著中國(guó)目前已經(jīng)是全球存儲(chǔ)...

2018-09-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 3893 0

鑒于預(yù)期需求放緩，三星電子明年計(jì)劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅

鑒于預(yù)期需求放緩，三星電子明年計(jì)劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅，以確保供應(yīng)緊縮。

2018-09-28 標(biāo)簽：NAND三星電子內(nèi)存 1047 0

3D NAND TB時(shí)代或指日可待，Xtacking會(huì)是中國(guó)閃存的王牌嗎？

近日，備受業(yè)界關(guān)注的“2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS2018）”在深圳開(kāi)幕，來(lái)自三星、美光、西部數(shù)據(jù)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、慧榮科技、群聯(lián)電子以及江波龍等全球...

2018-09-27 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ) 2057 0

有了大連工廠的支撐，Intel能在消費(fèi)市場(chǎng)上再次開(kāi)辟一天新天地嗎？

據(jù)媒體報(bào)道，近日，Intel大連非易失性存儲(chǔ)二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行。

2018-09-26 標(biāo)簽：閃存NANDIntel 1384 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道，紫光投資的長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳來(lái)新動(dòng)態(tài)。

2018-09-26 標(biāo)簽：閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2827 0

NAND存儲(chǔ)器跌破兩年前價(jià)位，國(guó)內(nèi)廠商能否決勝于新一輪周期回轉(zhuǎn)？

內(nèi)存市場(chǎng)和閃存市場(chǎng)有一定的關(guān)聯(lián)性，不管是存儲(chǔ)介質(zhì)或是存儲(chǔ)主控芯片，它的成敗不在一年兩年，而是一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程，一個(gè)企業(yè)要好這個(gè)事情，不可能是做好一款爆品之...

2018-09-25 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 4855 0

96層QLC技術(shù)的升級(jí)，NAND Flash成本下滑

東芝內(nèi)存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內(nèi)存及其合資伙伴西部數(shù)據(jù)舉辦的新聞發(fā)布會(huì)上表示：“短期內(nèi)的價(jià)格波動(dòng)是供需平衡的體現(xiàn)，但我們正在解決...

2018-09-25 標(biāo)簽：東芝閃存NAND 5141 0

IC設(shè)計(jì)門檻墊高　NAND Flash控制晶片進(jìn)入1X奈米時(shí)代

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián)電子(8299)董事長(zhǎng)潘健成表示，由于NAND Flash控制晶片的設(shè)計(jì)愈加復(fù)雜、所需人力及銀彈越來(lái)...

2018-09-21 標(biāo)簽：ICNand 4466 0

東芝無(wú)懼芯片價(jià)格下跌，將量產(chǎn)96層3D NAND Flash

日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開(kāi)幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無(wú)懼芯片...

2018-09-20 標(biāo)簽：東芝Nand 5400 0

旺宏預(yù)計(jì)2019年量產(chǎn)3D NAND，并進(jìn)軍SSD市場(chǎng)

非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場(chǎng)。

2018-09-17 標(biāo)簽：NANDSSD旺宏 2055 0