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標簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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2018年三星將其生產(chǎn)比重提升至90%以上,三星全面進入3D NAND時代
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重,傳已在2017年第4季突破80%,三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外,2018年將進...
NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強勢表現(xiàn)
內(nèi)存指標大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析,儲存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價格持續(xù)下探,但DRA...
關(guān)于ClearNAND閃存的系統(tǒng)詳解
過去,ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是,隨著NAND單元不斷縮小,每個浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此,為彌補更小的存儲...
SK Hynix的72L NAND快閃存儲器與各家64L的對比分析詳解
在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND快閃存儲器中,所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)兩極分化 DRAM無新增產(chǎn)能 NAND需求極增
2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場大動亂,2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風向也會有所變化,據(jù)悉,DRAM熱度可望延續(xù)依然存在,但是2018年DRAM并無新增產(chǎn)能,同時服務(wù)...
當你與一位半導(dǎo)體存儲器行業(yè)的老投資者交談時,你會看到,他面對這個模棱兩可行業(yè)所表現(xiàn)出的冷靜態(tài)度。因為破壞利潤的因素總是存在,而一些因素可能會壓倒你在投...
2018-06-06 標簽:NAND 655 0
長江存儲32層NAND閃存預(yù)計2018年內(nèi)量產(chǎn)
NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片,國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進口。好在國產(chǎn)NAND閃存目...
以全球存儲芯片市場前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示,三星的全球內(nèi)存市場占有率為46%,閃存市場占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場占有率為29...
東芝內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)或走單獨IPO渠道
1月22日消息,據(jù)英國《金融時報》周一報道,如果東芝向貝恩資本出售價值180億美元的芯片業(yè)務(wù)不能在3月底前獲得反壟斷批準,那么東芝就考慮將其存儲芯片業(yè)務(wù)...
業(yè)界多估NAND Flash價格先降后升,DRAM 熱度可望延續(xù)
綜合目前業(yè)界的看法,DRAM 熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢依舊,但NAND 部分,恐怕就不會那么樂觀了,由于大廠3D NAND 良率大躍進,供給過剩問題已...
在經(jīng)過為期一年半的價格暴漲之后,部分存儲芯片的價格突然急速下滑,之后三星電子發(fā)布了一份并不樂觀的2017年業(yè)績預(yù)期,這兩件事情讓那些押注芯片行業(yè)的投資人...
英特爾將于紫光合作,在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片
上周,隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時,有外媒報道,英特爾將于紫光合作,在中國生產(chǎn)3...
傳英特爾和美光合作關(guān)系終結(jié) 將攜手清華紫光將共同開發(fā)3D NAND
近日傳聞美光科技和英特爾的合作關(guān)系即將終止,主要是因為3D NAND技術(shù)還不適合目前的市場,后續(xù)有傳說英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片,具體情況...
英特爾和鎂光專注于NAND市場上的不同領(lǐng)域并宣布停止合作開發(fā)NAND內(nèi)存
據(jù)外媒報道,英特爾和鎂光宣布,它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。
SSD價格開始走跌 2019年后NAND Flash供大于求過
根據(jù)2017年的存儲器行業(yè)需求顯露出的價格上漲,供不應(yīng)求局面,韓系存儲器廠紛紛計劃擴產(chǎn)。但由于存儲器大廠3D NAND良率升,NAND Flash將在2...
三星投資60%部署NAND閃存業(yè)務(wù) 預(yù)測將出現(xiàn)供大于求
根據(jù)2017年的存儲器市場來看,價格的大幅度上漲,內(nèi)存市場面臨著激烈的競爭,市場供不應(yīng)求的局面,致使三星計劃將加大投入擴大芯片產(chǎn)能,但是外界人士認為內(nèi)存...
西部數(shù)據(jù)推出嵌入式閃存盤以及NAND的發(fā)展過程及當下存儲市場的強勁需求
西部數(shù)據(jù)近日宣布推出全新先進的iNAND嵌入式閃存盤(EFD)。據(jù)介紹,該產(chǎn)品用于智能手機和輕薄型計算設(shè)備時,可以為數(shù)據(jù)中心的大量應(yīng)用加速,包括增強現(xiàn)實...
對于2017半導(dǎo)體設(shè)備的總結(jié)以及2018半導(dǎo)體設(shè)備的預(yù)測
半導(dǎo)體行業(yè)觀察:得益于儲存芯片和邏輯芯片對10 / 7nm先進工藝的強勁需求,早些的預(yù)測都看好2018年半導(dǎo)體設(shè)備的穩(wěn)健增長。
2017-12-29 標簽:nand 8543 0
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