上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會更加積極的進(jìn)入NAND閃存市場，尤其是用于數(shù)據(jù)中心和高端個人電腦的特殊領(lǐng)域。而紫光似乎在此機(jī)遇之下，贏得了發(fā)展的先機(jī)。

在趙偉國執(zhí)掌紫光集團(tuán)之后，自2013年以來，據(jù)不完全統(tǒng)計，紫光系共投資了16家公司（不包括后期暫?；蚪K止的），斥資近千億元。其中，芯片領(lǐng)域就有11家，先后十多次舉牌上市公司。

雖然從2017年開始，紫光開始放慢并購的腳步，但是這并沒有阻止正在以低頻和其他的方式參與到產(chǎn)業(yè)中來，因?yàn)閷τ谮w偉國而言，對紫光“芯片+云網(wǎng)”的部署從未停止過。

此次業(yè)界對于紫光和英特爾的合作并不是無跡可尋，因?yàn)檫@已經(jīng)不是紫光和英特爾的第一次接觸了。

遠(yuǎn)的不說，單從2013年紫光開始大規(guī)模收購開始。

2013年底，紫光先以18億美元收購展訊通信，后以9.1億美元收購銳迪科，將中國大陸前三的兩家芯片設(shè)計公司整合到一起。

2014年，紫光將展訊、銳迪科20%股份以15億美元的價格出售給了Intel。

通過這一收購，紫光不僅通過收購展訊、銳迪科在商業(yè)上大賺一筆，更拉到了芯片巨頭Intel這個強(qiáng)援。

在嘗到了收購帶來的好處之后，紫光的收購措施更是一發(fā)不可收拾。

2015年，在試圖收購美光的企圖被美國政府禁止后，紫光豪擲38億美元收購西部數(shù)據(jù)15%股權(quán)，進(jìn)而由西部數(shù)據(jù)出面，繞過美國政府的管制，以190億美元收購閃迪。

可以說，這也是紫光在嘗試收購美光失敗后曲線強(qiáng)化存儲上的布局。

但最后這項交易，還是由于美國海外投資委員會CFIUS介入審查而終止，由此不難看出，國外對于存儲器技術(shù)的嚴(yán)防死守。

意識到了這一問題之后，紫光轉(zhuǎn)而通過合作的方式來進(jìn)行。

顯然，在相關(guān)領(lǐng)域儲備知識產(chǎn)權(quán)，通過資本獲得入場券，歸根結(jié)底還是以做好科技實(shí)業(yè)為本。

其實(shí)紫光從一開始就有一個大盤的策略，而存儲行業(yè)是紫光這一策略中關(guān)鍵的一步。

雖然由于國外嚴(yán)防死守的原因，很多收購都宣告破產(chǎn)，但是紫光并沒有死心，而是轉(zhuǎn)而選擇與國內(nèi)企業(yè)聯(lián)手的方式，進(jìn)軍存儲產(chǎn)業(yè)。

第一步就是2016年7月，紫光收購武漢新芯的大部分股權(quán)，并注冊成立了全新的長江存儲，將武漢新芯變成其全資子公司。

當(dāng)時就有業(yè)內(nèi)人士表示，紫光有資金，武漢新芯有生產(chǎn)保障，再加上第三方（美光等）的技術(shù)支持，二者聯(lián)手將是中國存儲器芯片趕超國外巨頭的絕佳機(jī)會。

除了Falsh，紫光對DRAM也是高度關(guān)注。在2015年，紫光就從同為清華系的同方股份手里收購了同方國芯36.39%的股權(quán)，涉足DRAM產(chǎn)業(yè)，并將改公司改名為紫光國芯。

現(xiàn)在回頭看，過去兩年，尤其近兩年以來Flash和DRAM價格的高漲，再一次證明了紫光的獨(dú)到。

而現(xiàn)在隨著英特爾和美光合作的終結(jié)，如果紫光此時能夠搭上英特爾的快車，將能夠更加快速的時間國產(chǎn)存儲器的崛起。

其實(shí)這并不是紫光第一次需求技術(shù)上的授權(quán)和合作。

在收購武漢新芯的時候，紫光就希望在此基礎(chǔ)上需求與美光的技術(shù)授權(quán)。

但是，當(dāng)時的問題在于，彼時英特爾與美光的合作關(guān)系還存在，在與美光談技術(shù)授權(quán)的同時，還需要經(jīng)過英特爾這一關(guān)，而且美國政府對于技術(shù)轉(zhuǎn)移到中國也是相當(dāng)保守，此前收購美光破產(chǎn)就是一個很好的例子，所以技術(shù)授權(quán)也是無疾而終。

而現(xiàn)在在美光與英特爾合作結(jié)束之后，紫光能夠有機(jī)會呢？

這兩年，存儲器市場發(fā)生了翻天覆地的變化，價格更是連創(chuàng)新高，英特爾更是在被三星依靠著存儲器擠下了坐了二十多年的半導(dǎo)體行業(yè)老大的寶座。

要說英特爾不甘心那是不可能的，但是力所難及啊。

為此，英特爾宣布，英特爾計劃提升其在大連的12英寸晶圓廠的產(chǎn)能，英特爾位于大連的工廠在2015年的時候，從原先的處理器業(yè)務(wù)變成Nand閃存芯片業(yè)務(wù)。

但是，即便如此，英特爾的情況依然不容樂觀。

據(jù)了解，在產(chǎn)品規(guī)劃上，英特爾的發(fā)展依舊以SSD為主，并占其90%以上比重，3D-XPoint相關(guān)應(yīng)用由于才剛起步，且價格仍處高點(diǎn)，采用者仍然不多。即便如此，英特爾的份額依舊不高。

可以說，英特爾亟待尋找出路在存儲芯片市場獲得突破，而由于英特爾與美光本身在發(fā)展理念上的不同，隨著合作終結(jié)，英特爾將能夠更加自由的發(fā)展自己的存儲芯片。而在這種情況下，就需要一個強(qiáng)有力的并且合適的合作伙伴。

同時，紫光也需要先進(jìn)技術(shù)的支持。

去年年底，紫光也宣布將投資了 300 億美元在南京建設(shè)自己的 DRAM 存儲器及 NAND Flash 存儲器工廠。另外也和中國***地區(qū)的建興宣布合作，在蘇州興建一座 SSD 固態(tài)硬盤開發(fā)、制造工廠，這些工廠都需要先進(jìn)技術(shù)的支持。

因此，未來如果真能與英特爾合作，英特爾所掌握的 NAND Flash 技術(shù)將有望讓紫光的生產(chǎn)更上一層樓。而英特爾則可以利用技術(shù)授權(quán)，借由紫光的布局以換取更大的市場?？梢哉f是雙贏的局面。

因此在這種情況之下，很多人就提出了英特爾看中紫光，將技術(shù)授權(quán)的可能。

但是，這種情況真的可能嗎？

在此之前就曾有消息說，紫光與SK海力士就閃存技術(shù)許可進(jìn)行談判與合作，給出的理由則是，3D NAND技術(shù)很難不觸碰到SK海力士等國際廠商的知識產(chǎn)權(quán)。

紫光專門針對這件事情表示，閃存只是產(chǎn)權(quán)不是SK海力士的，現(xiàn)在的3D NAND技術(shù)是自己開發(fā)的。

由此可以猜想，依靠目前紫光的實(shí)力，可能并不需要通過技術(shù)授權(quán)的方式來實(shí)現(xiàn)3D NAND產(chǎn)品的突破。

那么紫光是否還需要依靠英特爾的授權(quán)就不得不打上一個問號。

其實(shí)，即便英特爾進(jìn)行技術(shù)授權(quán)，也存在著美國政府阻礙的問題。

事實(shí)上，美國以法律當(dāng)武器恫嚇對手的做法，早已是屢見不鮮的事，2017年年底，美光就針對聯(lián)電和福建晉華目前仍在研發(fā)階段的 DRAM 技術(shù)，在美國提出涉嫌妨礙運(yùn)營機(jī)密的控告。

同時，美國還不斷以國家安全為借口，來避免技術(shù)的外泄和中國企業(yè)的收購以杜絕先進(jìn)技術(shù)流向中國。

比如說，在剛剛結(jié)束的CES上，AT&T臨場變卦，華為再次被美國市場拒之門外，理由依然是說了千萬遍的華為軍工背景或會危機(jī)美國的國家安全。

之后，更是有消息說，美國國會兩位重量級議員發(fā)起一項議案，擬禁止政府機(jī)構(gòu)采購華為、大唐及中興的產(chǎn)品和服務(wù)，稱其“與中國軍方關(guān)系密切”。

而類似的理由都會成為英特爾技術(shù)授權(quán)給紫光的障礙。

對于英特爾可能技術(shù)授權(quán)給紫光這件事情來看，更多的只是一種猜想，而這種猜想很難有成為現(xiàn)實(shí)的可能。

而紫光這幾年來的發(fā)展已經(jīng)為我們發(fā)展中國自主的存儲器產(chǎn)業(yè)指明了一條非常明朗的道路。

高啟全曾說過，中國發(fā)展存儲芯片不能再走授權(quán)代工的路，一定要技術(shù)自主開發(fā)，用到別人的專利就付錢，同時也累積自己手上的專利實(shí)力，如果最后真的無法成功，那也必須接受事實(shí)。

歷史的經(jīng)驗(yàn)也告訴我們，回顧***過去 20 年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步，等于是為美、日、歐等國大廠打了 20 年工，到最后仍是無法擁有自己的技術(shù)，只換來“生產(chǎn)成本最低的 DRAM 廠”的稱號。

尤其是對于目前的中國市場也是如此，擁有巨大的市場，但是在技術(shù)方面短缺，是我們不得不面臨的困境。

當(dāng)前中國半導(dǎo)體的艱難局面來自于：中國身為全球最大的半導(dǎo)體市場，但卻必須高度依賴進(jìn)口，以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 芯片為例，9 成以上都依靠國際大廠。

而現(xiàn)在，隨著紫光32層64G的3D NAND芯片研發(fā)成功，其DDR4存儲芯片計劃于今年逐步推向市場，紫光告訴我們，自主研發(fā)才是中國存儲產(chǎn)業(yè)的出路！