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標簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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存儲廠商2024Q1業(yè)績?nèi)婊嘏?,漲價疊加需求帶旺行業(yè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)最近,電子發(fā)燒友網(wǎng)統(tǒng)計了存儲芯片廠商2024年第一季度業(yè)績的情況,可以看到從國際大廠三星、美光、SK海力士再到國內(nèi)廠商兆易...
美光率先量產(chǎn)232層QLC NAND產(chǎn)品
美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿,近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實現(xiàn)量產(chǎn),并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿...
SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Z...
美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)
美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破,其先進的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn),并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達固態(tài)硬盤(SSD)中。此外,美光還...
三星第九代V-NAND 1TB TLC量產(chǎn),密度提升逾50%
第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計,將旗艦版V8閃存原先的236層進一步增加至290層,主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算設(shè)備領(lǐng)域。
芯馳科技與群聯(lián)電子合作推出新一代車載平臺與高速車載存儲方案
2024年4月25日,在北京國際汽車展上,全場景智能車芯引領(lǐng)者芯馳科技與全球領(lǐng)先的NAND主控與NAND存儲解決方案供貨商群聯(lián)電子(Phison; 82...
據(jù)相關(guān)業(yè)內(nèi)人士21日透露,近期三星電子NAND開工率已提高至90%,此前存儲行業(yè)衰退時三星開工率一度下降至60%。
三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數(shù)紀錄
三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND (3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236層第八代V-NA...
“神仙打架”的車企背后,智能汽車產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了什么?
2024 年伊始,汽車市場就開始彌漫著濃濃的硝煙味道,年味還沒散盡,比亞迪就用“電比油低”揭開了新一輪“戰(zhàn)爭”序幕。
市場研究機構(gòu)Omdia的最新預(yù)測顯示,盡管NAND閃存市場在2023年經(jīng)歷了下滑,但預(yù)計今年將迎來強勁反彈,增長率高達38.1%。
美光科技擬上調(diào)產(chǎn)品報價,漲幅預(yù)計突破20%
就在幾天前的4月3日,臺灣花蓮縣海域遭受了一場7.3級的強烈地震,并伴隨著多次余震,給當?shù)貛砹藝乐氐钠茐摹?/p>
西部數(shù)據(jù)調(diào)整NAND閃存和硬盤價格,因需求旺盛供應(yīng)不足
已證實,西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)函,宣布將對NAND閃存及硬盤產(chǎn)品價格進行調(diào)整。西部數(shù)據(jù)就產(chǎn)品供應(yīng)困難發(fā)表聲明,稱市場需求遠超預(yù)期,導(dǎo)致供應(yīng)緊張,加劇了電子行...
2024-04-09 標簽:NAND硬盤西部數(shù)據(jù) 789 0
鎧俠計劃2030-2031年推出千層級3D NAND閃存,并開發(fā)存儲級內(nèi)存(SCM)
目前,鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù),他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存,這項產(chǎn)品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。
2024-04-07 標簽:NAND西部數(shù)據(jù)鎧俠 979 0
Flash存儲芯片:NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC的比較與解析
前言 在數(shù)字化時代的今天,數(shù)據(jù)的存儲和管理變得越來越重要。各種各樣的存儲技術(shù)應(yīng)運而生,以滿足不同的使用場景和需求。其中,F(xiàn)lash存儲芯片以其非易失性、...
內(nèi)存由 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品組成,對于自 1993 年以來成為全球最大內(nèi)存制造商的三星來說,最為重要。雖然該公司始終只公布 DS 部門的盈利,但...
創(chuàng)見MTE310S PCIe 4.0固態(tài)硬盤,支持SLC緩存與LDPC糾錯
值得一提的是,創(chuàng)見為 MTE310S 固態(tài)硬盤提供長達五年的保修期,保證 200 萬小時的平均故障間隔時間。至于產(chǎn)品售價和具體上市日期,官方暫未對外透露。
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已...
Atonarp過程控制質(zhì)譜儀Aston?半導(dǎo)體工藝解決方案案例
上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...
慧榮科技推出PCIe Gen4 BGA FerriSSD? ,搭載i-temp的高性能工業(yè)和汽車解決方案
臺北和美國加州訊,2024 年 3 月 27 日-- 全球 NAND 閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技 (NasdaqGS: SIMO),今日宣布推出新一代...
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