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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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干貨|這篇文章把MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)講透了
MOS管是一種具有絕緣柵的FET,其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明MOS管是為了克服FET中存在的缺點(diǎn),如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MO...
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
描述:采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡單,成本低,占用空間少,但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時(shí),會(huì)存在一定的壓降,一般在0.5V左右(主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定)
都說酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無與倫比的性能...
NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 2512 0
利用CMOS設(shè)計(jì)電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。
采用Class-AB輸出級設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率...
低功耗設(shè)計(jì)的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化,45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。
2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計(jì)漏電流 4646 0
淺談芯片低功耗的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
眾所周知,隨著芯片越來越大,功能越來越豐富,以及移動(dòng)市場的切實(shí)需求,低功耗的芯片設(shè)計(jì),越來越受到推崇。這里,結(jié)合多年的低功耗設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),把一些理念和方法,...
一文講透MOS管,從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2023-03-28 標(biāo)簽:二極管場效應(yīng)管MOS管 1.0萬 0
如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個(gè)會(huì)覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
功耗越低,同等電量下電子產(chǎn)品工作時(shí)間越長,便攜性設(shè)備的電池容量和體積設(shè)計(jì)的困難度也會(huì)降低。例如,手機(jī)越做越薄,性能還不受影響,就是因?yàn)榈凸脑O(shè)計(jì)發(fā)揮了至...
不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S。
2023-03-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 965 0
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