NMOS和PMOS的導(dǎo)通特性

項(xiàng)目中最常用的為增強(qiáng)型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。由于NMOS其導(dǎo)通電阻小，且容易制造所以項(xiàng)目中大部分

2018-09-23 標(biāo)簽：MOS管N溝道p溝道 6.6萬(wàn) 0

MOS管的正確用法

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2019-07-08 標(biāo)簽：MOS管電極p溝道 4.8萬(wàn) 0

N溝道MOS管和P溝道MOS管的區(qū)別

　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOS管晶體管N溝道 3.5萬(wàn) 0

n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類(lèi)型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOSN溝道 2.3萬(wàn) 0

耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理

在SiO2絕緣層中摻入大量正離子，那么即使Ugs=0,在正離子作用下，P襯底的表面會(huì)有電子匯聚，也會(huì)形成反型層，造成漏-源之間存在導(dǎo)電溝道。

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管MOS 2.2萬(wàn) 0

P溝道MOSFET的基本概念及主要類(lèi)型

MOSFET是一種三端、電壓控制、高輸入阻抗和單極器件，是不同電子電路中必不可少的元件。一般來(lái)說(shuō)，這些器件根據(jù)其默認(rèn)狀態(tài)下是否有相應(yīng)的通道，分為增強(qiáng)型M...

2022-09-23 標(biāo)簽：MOSFETp溝道 1.9萬(wàn) 0

N溝道和P溝道怎么區(qū)分

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類(lèi)型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管N溝道 1.4萬(wàn) 0

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的...

2023-04-29 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路N溝道 1.1萬(wàn) 0

MOS管的種類(lèi)、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性詳解

一般情況下，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比...

2023-08-02 標(biāo)簽：MOSFETMOS管晶體管 1.1萬(wàn) 0

采用兩只N溝道和兩只P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的全橋驅(qū)動(dòng)電路

采用兩只N溝道和兩只P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的全橋驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，在驅(qū)動(dòng)控制IC的控制下，使V4、V1同時(shí)導(dǎo)通，V2、V3同時(shí)導(dǎo)通，且V4、V1導(dǎo)通時(shí)，V2、V3...

2012-04-05 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管N溝道P溝道 1.3萬(wàn) 0

面對(duì)市面上琳瑯滿目的MOS管，該如何選擇呢？

選擇到一款正確的MOS管，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，最為重要的是，為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷?，這在產(chǎn)品未來(lái)的使用過(guò)程中，將會(huì)充分發(fā)揮其“螺絲釘”的...

2021-02-01 標(biāo)簽：MOSFETMOS管p溝道 5442 1

MAX890,MAX890L 低電阻p溝道開(kāi)關(guān)

MAX890L，低電壓，P溝道，MOSFET電源開(kāi)關(guān)是用于高端負(fù)荷開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此開(kāi)關(guān)運(yùn)作與+2.7 V至+5.5 V輸入，使其為+3 V和+5 V系統(tǒng)的理想選擇。

2011-04-19 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)MAX890MAX890L 2066 0

MOS管的工作原理：N溝道與P溝道的區(qū)別

MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子設(shè)備中最常用的半導(dǎo)體器件之一。它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的導(dǎo)通與截止，廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)和信號(hào)處理等電路...

2025-05-09 標(biāo)簽：MOS管N溝道p溝道 706 0