標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
文章:234個(gè) 瀏覽:30437次 帖子:85個(gè)
淺談MOS管的高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)
MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端,其中D通過負(fù)載接電源,S直接接地。對(duì)于NMOS,只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí),MOS管才能導(dǎo)通。
基于MOS管的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)
實(shí)現(xiàn)雙電源自動(dòng)切換電路,其中利用了三個(gè)MOS管進(jìn)行的電路設(shè)計(jì)。
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 1.7萬(wàn) 0
華太電子理想二極管在防反接保護(hù)電路、ORing中的應(yīng)用
在電源系統(tǒng)中,通常需要設(shè)計(jì)防反接保護(hù),以防止現(xiàn)場(chǎng)電源接線錯(cuò)誤導(dǎo)致的短路大電流燒毀元器件的情況出現(xiàn)。在防反接保護(hù)電路中,大多數(shù)設(shè)計(jì)采用二極管或PMOS管的...
PMOS低電平驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
如上圖,PMOS管是壓控型器件,|Vgs|電壓大于|Vth|電壓時(shí),內(nèi)部溝道在場(chǎng)強(qiáng)的作用下導(dǎo)通,|Vgs|電壓小于|Vth|電壓時(shí),內(nèi)部溝道截止。
2023-09-26 標(biāo)簽:二極管電路圖電路設(shè)計(jì) 1.5萬(wàn) 0
如下電路圖所示,此種應(yīng)用,由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇,當(dāng)VIO9V電壓存在時(shí),此時(shí)電壓全部由VIO9V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT4.2V不提供電壓給...
采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率...
利用CMOS設(shè)計(jì)電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。
在集成電路和微電子領(lǐng)域中,MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管是一種基本的電子元件,根據(jù)其導(dǎo)電溝道的類型...
咱們前幾期講的一直是NMOS,導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反,是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...
本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu),以及針對(duì)...
2023-11-15 標(biāo)簽:集成電路MOSFETIC設(shè)計(jì) 1.2萬(wàn) 0
pmos和nmos的工作原理 MOS應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把...
2023-08-10 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)NMOS 1.2萬(wàn) 0
肖特基二極管與場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別?
場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱,應(yīng)為縮寫為FET。場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類:1)JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極,分...
2019-06-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管肖特基二極管PMOS 1.2萬(wàn) 0
通過D3, D4, R4,實(shí)現(xiàn)“浮地”拓?fù)?,可鉗位比較器的供電電壓,使其輸出不會(huì)超過MOS 管的最大柵源電壓V G S ( m a x ) 。
負(fù)載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛,主要用來(lái)控制后級(jí)負(fù)載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析開關(guān)電路電源開關(guān) 1.1萬(wàn) 0
NMOS和PMOS都是MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的重要類型,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和功能上有一些關(guān)鍵的區(qū)別。
2024-04-09 標(biāo)簽:NMOS電源開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1萬(wàn) 0
NMOS和PMOS是常見的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的兩種類型,它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔?。NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異...
2023-12-18 標(biāo)簽:電路NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1萬(wàn) 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |