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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 5409 0
詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件,可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。 IGBT 主要用于放大器,用于通過脈沖寬度調(diào)制 (...
電路設(shè)計(jì)的九段境界 看看自己現(xiàn)在處于什么段位
你剛開始進(jìn)入這行,對(duì)PMOS/NMOS/BJT什么的只不過有個(gè)大概的了解,各種器件的特性你也不太清楚,具體設(shè)計(jì)成什么樣的電路你也沒什么主意
2023-11-17 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)仿真器SPICE 515 0
本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu),以及針對(duì)...
2023-11-15 標(biāo)簽:集成電路MOSFETIC設(shè)計(jì) 1.1萬 0
一個(gè)運(yùn)放的STB仿真和AC仿真區(qū)別分析
以一個(gè)二級(jí)彌勒補(bǔ)償運(yùn)放為例,說明stb仿真和ac仿真的區(qū)別,vdd=3.3,Vcm=1.25V,ibias=5uA,負(fù)載電容是5pF,負(fù)載電阻是100K。
我們先來看一張圖,熟悉I2C的人一看,這不是I2C的level shifter電路嘛,在Philip的I2C標(biāo)準(zhǔn)里面有,沒有啥復(fù)雜的。
2023-11-02 標(biāo)簽:上拉電阻電平轉(zhuǎn)換I2C總線 5949 0
運(yùn)放的datasheet參數(shù)表格中往往給出的是DC-PSRR,而AC-PSRR往往以圖表的形式給出。
2023-11-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源放大電路電源抑制比 1570 0
在研究MOSFET的實(shí)際工作原理前我們來考慮這種器件的一個(gè)簡(jiǎn)化模型,以便對(duì)晶體管有一個(gè)感性認(rèn)識(shí):我們預(yù)期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來器件架構(gòu)的第一次重大變革,即從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)轉(zhuǎn)變到納米片(nanosheet)。
PMOS管與NMOS管控制電路設(shè)計(jì)對(duì)比
如果讓大家舉個(gè)PMOS管實(shí)際應(yīng)用電路,恐怕大多數(shù)讀者除了下圖所示的電源開關(guān)控制電路外,實(shí)在是想不出更多其它實(shí)用電路了。
2023-10-11 標(biāo)簽:芯片開關(guān)電路整流器 2974 0
PMOS低電平驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
如上圖,PMOS管是壓控型器件,|Vgs|電壓大于|Vth|電壓時(shí),內(nèi)部溝道在場(chǎng)強(qiáng)的作用下導(dǎo)通,|Vgs|電壓小于|Vth|電壓時(shí),內(nèi)部溝道截止。
2023-09-26 標(biāo)簽:二極管電路圖電路設(shè)計(jì) 1.5萬 0
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