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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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在設(shè)計控制電路時需要使用12V-15A 電源,機(jī)器中使用了6 個微型直流電機(jī),工作中不是同時轉(zhuǎn)動的,正常工作電流最大約5.8A ,堵轉(zhuǎn)電流超過12A(這...
2023-04-28 標(biāo)簽:開關(guān)電源電路設(shè)計控制電路 2835 0
LDO(low dropout regulator),低壓差線性調(diào)整器是一種用于調(diào)節(jié)較高電壓輸入產(chǎn)生的輸出電壓的簡單方法。在大多數(shù)情況下,低壓差線性調(diào)整...
NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 2390 0
在之前圍繞STM32的GPIO的基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行了介紹,圖1為STM32的5V容忍的GPIO口內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)圖,圖2為GPIO的基本結(jié)構(gòu)中各個模塊部分的概述。
利用CMOS設(shè)計電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。
采用Class-AB輸出級設(shè)計的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號建立時的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率...
一文講透MOS管,從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2023-03-28 標(biāo)簽:二極管場效應(yīng)管MOS管 9010 0
如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
功耗越低,同等電量下電子產(chǎn)品工作時間越長,便攜性設(shè)備的電池容量和體積設(shè)計的困難度也會降低。例如,手機(jī)越做越薄,性能還不受影響,就是因為低功耗設(shè)計發(fā)揮了至...
PMOS在開關(guān)電路中的應(yīng)用設(shè)計與分析
背景:在進(jìn)行電路設(shè)計時,經(jīng)常需要控制電源或者其它信號的通斷,除了機(jī)械開關(guān)外,運(yùn)用的較多的就是電子開關(guān)了。有些BUCK(降壓)或者LDO(低壓差線性穩(wěn)...
2023-03-26 標(biāo)簽:mcu開關(guān)電路BUCK 2.1萬 0
LDO是Low Dropout Regulator的縮寫,意思是低壓差線性穩(wěn)壓器。
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