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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi), P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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都說(shuō)酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門(mén)的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無(wú)與倫比的性能...
為解決汽車(chē)電源線上可能存在的各種脈沖干擾,行業(yè)協(xié)會(huì)和主要汽車(chē)制造商已經(jīng)制定了相關(guān)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)來(lái)模擬電源線的瞬態(tài)脈沖。
在設(shè)計(jì)控制電路時(shí)需要使用12V-15A 電源,機(jī)器中使用了6 個(gè)微型直流電機(jī),工作中不是同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)的,正常工作電流最大約5.8A ,堵轉(zhuǎn)電流超過(guò)12A(這...
2023-04-28 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)控制電路 2998 0
LDO(low dropout regulator),低壓差線性調(diào)整器是一種用于調(diào)節(jié)較高電壓輸入產(chǎn)生的輸出電壓的簡(jiǎn)單方法。在大多數(shù)情況下,低壓差線性調(diào)整...
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2512 0
三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的幾個(gè)好處
說(shuō)實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一下大家對(duì)三極管的理解。 但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。
2023-04-17 標(biāo)簽:三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1061 0
在之前圍繞STM32的GPIO的基本結(jié)構(gòu)進(jìn)行了介紹,圖1為STM32的5V容忍的GPIO口內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)圖,圖2為GPIO的基本結(jié)構(gòu)中各個(gè)模塊部分的概述。
基于CMOS的非門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)設(shè)計(jì)
利用CMOS設(shè)計(jì)電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。
采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率...
我們經(jīng)常見(jiàn)到部分型號(hào)DCDC芯片電路有這種自舉電容,而有些DCDC芯片卻沒(méi)有這個(gè)電容,如下面兩款DCDC。很多人不知道這個(gè)自舉電容有什么作用,雖然按照廠...
2023-04-08 標(biāo)簽:芯片驅(qū)動(dòng)電路PMOS 7355 1
一文講透MOS管,從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2023-03-28 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.0萬(wàn) 0
MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。 有P溝道MOS管(簡(jiǎn)稱(chēng)PMOS)和N溝道MOS管(簡(jiǎn)稱(chēng)NMOS),符號(hào)如下(此處只討論...
如上圖MOS管符號(hào),要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
功耗越低,同等電量下電子產(chǎn)品工作時(shí)間越長(zhǎng),便攜性設(shè)備的電池容量和體積設(shè)計(jì)的困難度也會(huì)降低。例如,手機(jī)越做越薄,性能還不受影響,就是因?yàn)榈凸脑O(shè)計(jì)發(fā)揮了至...
PMOS在開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用設(shè)計(jì)與分析
背景:在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),經(jīng)常需要控制電源或者其它信號(hào)的通斷,除了機(jī)械開(kāi)關(guān)外,運(yùn)用的較多的就是電子開(kāi)關(guān)了。有些BUCK(降壓)或者LDO(低壓差線性穩(wěn)...
2023-03-26 標(biāo)簽:mcu開(kāi)關(guān)電路BUCK 2.2萬(wàn) 0
LDO是Low Dropout Regulator的縮寫(xiě),意思是低壓差線性穩(wěn)壓器。
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