rram知識

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  AI驅(qū)動(dòng)新型存儲(chǔ)器技術(shù)，國內(nèi)新興存儲(chǔ)企業(yè)進(jìn)階

  生成式AI對于算力、運(yùn)力和存力的需求與日俱增，如何打破“存儲(chǔ)墻”成為存儲(chǔ)行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)會(huì)。從因AI訓(xùn)練而爆紅的HBM

  2024-10-16 標(biāo)簽： 存儲(chǔ) AI RRAM 1431 0

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  存內(nèi)計(jì)算原理分類——數(shù)字存內(nèi)計(jì)算與模擬存內(nèi)計(jì)算

  數(shù)字存內(nèi)計(jì)算與模擬存內(nèi)計(jì)算各有優(yōu)劣，都是存算一體發(fā)展進(jìn)程中的重點(diǎn)發(fā)展路徑，數(shù)字存內(nèi)計(jì)算由于其高速、高精度、抗噪性強(qiáng)、工藝

  2024-05-21 標(biāo)簽： 存儲(chǔ)器 模擬 矩陣運(yùn)算 3961 0

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  RRAM機(jī)制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的應(yīng)用

  近年來，RRAM 因其結(jié)構(gòu)簡單、保持時(shí)間長、運(yùn)行速度快、超低功耗運(yùn)行能力、能夠在不影響器件性能的情況下擴(kuò)展到更低的尺寸以

  2024-05-16 標(biāo)簽： 芯片 存儲(chǔ)器 RRAM 2302 0

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  億鑄科技登榜2023硬科技新銳之星TOP20

  12月22日，中國新經(jīng)濟(jì)科技產(chǎn)業(yè)媒體朋湖網(wǎng)發(fā)布了“2023年度科技產(chǎn)業(yè)系列榜單”，億鑄科技登榜2023硬科技新銳之星TO

  2023-12-25 標(biāo)簽： 憶阻器 RRAM 億鑄科技 986 0

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  全面解讀電阻式內(nèi)存的技術(shù)架構(gòu)及其應(yīng)用

  電阻式內(nèi)存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結(jié)構(gòu)為簡單的金屬-絕緣層-金屬

  2023-12-07 標(biāo)簽： 電阻 存儲(chǔ)器 物聯(lián)網(wǎng) 1909 0

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  憶阻器（RRAM）存算一體路線再次被肯定

  近日，清華大學(xué)發(fā)布的一顆憶阻器存算一體芯片，火了。該芯片的火爆源于一個(gè)月前，清華大學(xué)發(fā)的一篇論文

  2023-10-26 標(biāo)簽： CMOS 運(yùn)算器 憶阻器 2290 0

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  后摩智能首款RRAM大容量存儲(chǔ)芯片完成測試驗(yàn)證

  近期，后摩智能完成首款可商用的RRAM測試及應(yīng)用場景開發(fā)，探測及證實(shí)了現(xiàn)有工業(yè)級的RRAM的技術(shù)邊界。后續(xù)將與車規(guī)級應(yīng)用

  2023-08-17 標(biāo)簽： eFlash 存儲(chǔ)芯片 嵌入式存儲(chǔ)器 1101 0

• 新型存儲(chǔ)技術(shù)：新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹

  Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存，該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢，但是遠(yuǎn)快于NAND類介

  2023-01-15 標(biāo)簽： NAND 存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)技術(shù) 2840 0

• 存儲(chǔ)器迎來怎樣的2023？

  存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首

  2022-11-25 標(biāo)簽： PCM 存儲(chǔ)器 MRAM 2381 0

• 新型非易失存儲(chǔ)器硬件損耗均衡算法簡介

  需要設(shè)計(jì)一些算法使得能對整個(gè)存儲(chǔ)器做均衡的訪問，而不是僅僅去對幾個(gè)特定的區(qū)域持續(xù)寫入，將對某些塊的操作分布到整片存儲(chǔ)器上

  2022-10-13 標(biāo)簽： PCM 寄存器 RRAM 1052 0

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