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標簽 > SiC MOSFET
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驅(qū)動電路設(shè)計(七)——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用
隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動電路應(yīng)用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200...
SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計中的優(yōu)勢
使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷,或氮化鎵HEMT的...
2025-03-21 標簽:電源開關(guān)LLC變換器SiC MOSFET 371 0
SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
SiC設(shè)計干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 標簽:SiC驅(qū)動電壓SiC MOSFET 2839 0
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 796 0
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路,設(shè)計了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計方案
通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻的總結(jié),從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 標簽:pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2162 0
典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(+15V) ,但負柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問...
1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-01-03 標簽:NexperiaSiC MOSFET 308 0
NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南立即下載
類別:電子資料 2023-12-19 標簽:SiC MOSFET 270 0
NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載
類別:電子資料 2023-12-19 標簽:SiC MOSFET 244 0
用于直流變換器的SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標簽:直流變換器驅(qū)動電路SiC MOSFET 416 0
類別:電源技術(shù) 2018-03-13 標簽:SiC MOSFET 1526 0
SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載
類別:電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標簽:SiC MOSFET 1007 0
傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊
傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞:1200V/...
2025-06-24 標簽:封裝BASICSiC MOSFET 90 0
SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路
SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路 碳化硅(SiC)MOSFET因其高耐壓、低損耗等特性,在新能源、電動汽車等領(lǐng)域備受關(guān)注。然而,柵...
2025-05-27 標簽:柵極SiC MOSFET 113 0
SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值
基本半導(dǎo)體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值 隨著AI數(shù)據(jù)中心對算力需求的爆發(fā)...
2025-05-23 標簽:電源系統(tǒng)英偉達SiC MOSFET 223 0
新品 | 采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板
新品采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設(shè)備會污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電源...
Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩(wěn)定性
近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,SiCMOSFET),這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分...
2025-05-08 標簽:NexperiaSiC MOSFET汽車 265 0
在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...
2025-04-30 標簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 188 0
SiC功率模塊工商業(yè)儲能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運維成本劣勢
E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運維成本劣勢 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(...
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)
在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域,SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計和開發(fā)企業(yè),近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨...
2025-04-17 標簽:MOSFETSiC電源系統(tǒng) 307 0
廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?
碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,在電動汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢,但碳...
2025-01-15 標簽:IGBTSiC MOSFET 532 0
來源:電子工程世界 SiC(碳化硅),已經(jīng)成為車企的一大賣點。而在此前,有車企因是否全域采用SiC MOSFET,發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)??梢?,SiC這一市場在...
2025-01-09 標簽:SiC MOSFET 488 0
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