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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車(BEV)電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)...
本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱為柵極開關(guān)應(yīng)力)導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器...
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng),采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)...
使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計更容易
BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)...
2022-09-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1276 0
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應(yīng)用于集成電路、消費電子及工業(yè)設(shè)備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵(GaN)和碳化硅(...
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 標(biāo)簽:存儲服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1274 0
在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施要求以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的推動下,預(yù)計不間斷電源 (UPS) 市場將在未來幾年顯著增長。隨著全球經(jīng)濟朝著更大的數(shù)字化方向...
2022-07-27 標(biāo)簽:UPS數(shù)據(jù)中心SiC 1268 0
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機等。近年來,新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智...
2023-05-26 標(biāo)簽:分立器件SiC功率半導(dǎo)體 1267 0
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路,LS開關(guān)導(dǎo)通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻,HS和L...
在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié),而不...
碳化硅技術(shù)助力綠色環(huán)保替代方案進入良性循環(huán)
大幅提高可再生能源(尤其是太陽能和風(fēng)能)的投資回報率(ROI),意味著需要提升儲能系統(tǒng)(ESS)的效率、容量、功率密度和成本效益。由于不斷增長的電動汽車...
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