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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討...

2025-02-02 標簽:MOSFETSiC碳化硅 1160 0

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2024-12-05 標簽:晶體管功率器件SiC 1160 0

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理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣,英飛凌宣...

2023-06-03 標簽:SiC碳化硅 1156 0

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SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強度,3倍的帶隙,以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

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碳化硅與工業(yè)應(yīng)用的未來

首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上,碳化...

2023-05-20 標簽:電源轉(zhuǎn)換器SiC 1155 0

微電網(wǎng) - 脫離公共電網(wǎng)的高效選擇

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2023-05-16 標簽:電動汽車SiC可再生能源 1151 0

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在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中,由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基(Si)制成的Si IGBT。

2025-03-12 標簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 1150 0

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2022-08-03 標簽:電源MOSFETSiC 1146 0

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摘要:通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度,并采用 NaCl 和 Al2O3 進行燒結(jié)實驗,觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...

2024-01-11 標簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1146 0

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第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅(Si)和鍺(Ge)為代表,是集成電路制造的基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中,90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品 是用...

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氧化鎵器件,高壓電力電子的未來之星

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超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中,氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的...

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本文我們將重點介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標,并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...

2023-05-19 標簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1139 0

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硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機驅(qū)動、泵以及電動汽車(EV)等。然而,市場對更小型化產(chǎn)...

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在SiC晶體的擴徑生長上比較困難,比如我們有了4英寸的晶體,想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上,需要花費的周期特別長。

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SiC的物性和特征

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

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高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹

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ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...

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以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢,是國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點。

2023-08-09 標簽:二極管MOSFET電阻器 1123 0

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液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器,通過在熔融純硅中加入助溶劑,提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域,碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 標簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1122 0

破解SiC MOS難題,新技術(shù)減少50%碳殘留

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近日,韓國企業(yè)EQ TechPlus宣布,他們開發(fā)了一種下一代氧化膜沉積設(shè)備,用于大規(guī)模生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體,與采用傳統(tǒng)高溫熱氧化設(shè)備相比,該設(shè)備可以將...

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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。   1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月,當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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