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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討...
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...
分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標的分析
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣,英飛凌宣...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強度,3倍的帶隙,以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上,碳化...
2023-05-20 標簽:電源轉(zhuǎn)換器SiC 1155 0
我們中許多擁有電動汽車的人不得不考慮充電問題 — 重點在于節(jié)約能源,所以微電網(wǎng)從當?shù)乜稍偕茉粗蝎@取電能絕對符合時代精神。電動車電池是一種大型充電負載,...
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中,由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基(Si)制成的Si IGBT。
一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能
高能效對于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要,包括工業(yè)電機驅(qū)動器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長期以來一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體,但由于SiC提供的...
摘要:通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度,并采用 NaCl 和 Al2O3 進行燒結(jié)實驗,觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...
第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅(Si)和鍺(Ge)為代表,是集成電路制造的基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中,90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品 是用...
超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中,氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的...
本文我們將重點介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標,并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機驅(qū)動、泵以及電動汽車(EV)等。然而,市場對更小型化產(chǎn)...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...
高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
晶體制備技術(shù):碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑
液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器,通過在熔融純硅中加入助溶劑,提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域,碳溶解于熔融硅中
2024-02-20 標簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1122 0
近日,韓國企業(yè)EQ TechPlus宣布,他們開發(fā)了一種下一代氧化膜沉積設(shè)備,用于大規(guī)模生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體,與采用傳統(tǒng)高溫熱氧化設(shè)備相比,該設(shè)備可以將...
2023-06-13 標簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1121 0
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