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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動效率

工業(yè)領(lǐng)域的電力應用通常基于強大的電動機，用于連續(xù)運行的風扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機、縫紉機和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動機，由適當?shù)幕谀孀兤鞯?..

2022-07-26 標簽：MOSFET IGBT SiC 1066 0

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何

SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...

2023-05-19 標簽：MOSFET SiC GaN 1063 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭的連接方法

本文的關(guān)鍵要點?探頭的連接方法會給波形測量結(jié)果帶來很大影響。?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會導致觀察到的波形與真正的波形...

2023-02-09 標簽：MOSFET 探頭 SiC 1063 0

碳化硅在半導體中有什么好處？

來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-02-16 標簽：半導體 IGBT SiC 1061 0

如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程...

2023-05-23 標簽：電動汽車德州儀器柵極 1060 0

如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...

2025-03-24 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1059 0

使用最新的SiC FET封裝選項提高車載充電器性能

在電動汽車中，功率轉(zhuǎn)換效率是解決續(xù)航里程和充電時間問題的關(guān)鍵。為了最大限度地提高效率，交流輸出牽引逆變器很少在 10 kHz 以上運行，因為在較高頻率下...

2022-07-29 標簽：MOSFET SiC 車載充電器 1057 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作

本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行解說。

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極驅(qū)動電路 1055 0

WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設(shè)計柵極驅(qū)...

2024-09-27 標簽：驅(qū)動器 SiC GaN 1054 0

使用SiC-SBD的優(yōu)勢

SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型...

2023-02-23 標簽：二極管半導體 SiC 1054 0

采用碳化硅SiC技術(shù)封裝設(shè)計的SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-01-30 標簽：MOSFET 直流轉(zhuǎn)換器 PFC 1051 0

碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應用前景

隨著科技的不斷進步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導體材料，具有高頻...

2024-01-10 標簽：半導體功率器件 SiC 1048 0

利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計實用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2023-03-20 標簽：電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1046 0

開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述

鑒于所提出的具挑戰(zhàn)的要求和當前的市場趨勢，系統(tǒng)工程團隊考慮了幾個替代方案來實現(xiàn)這兩個轉(zhuǎn)換級。，結(jié)論是在AC-DC級利用6開關(guān)有源整流器，在依賴移相調(diào)制的...

2023-06-24 標簽：整流器充電器 SiC 1046 0

碳化硅功率器件的應用與市場前景

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。本文將對碳化硅功...

2024-01-17 標簽：半導體功率器件 SiC 1042 0

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設(shè)計呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導著電力電子行業(yè)，因為它們的技術(shù)成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標簽：MOSFET 驅(qū)動器充電器 1041 0

SiC的離子注入工藝及其注意事項

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。

2024-11-09 標簽：工藝制造 SiC 1041 0

了解柵極-源極電壓浪涌

由于這種開關(guān)工作，受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。

2024-01-24 標簽：MOSFET SiC 同步升壓 1036 0

AC/DC拓撲：SpeedFit示例

SpeedFit 2.0 允許用戶模擬 AC/DC 應用的六種不同的單相拓撲。這些拓撲為有源單相升壓模式電路，用于功率因數(shù)校正（PFC）應用。PFC 的...

2023-05-20 標簽：電源二極管 SiC 1027 0

SiCMOSFET和IGBT在短路時的對比

基于溝道的硅碳功率金氧半場效應晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應用的效...

2023-12-01 標簽：MOSFET FOM SiC 1022 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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